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機器内蔵用フォト・マイクロセンサ 用語解説


フォト・マイクロセンサは、主に機器内蔵用として使われる小型のアンプ内蔵光電センサです。ここではフォト･マイクロセンサの用語を解説します。

概要用語解説
参考情報機器内蔵用フォト・マイクロセンサ 概要
機器内蔵用フォト・マイクロセンサ 用語解説機器内蔵用フォト・マイクロセンサ 参考情報

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ここではフォト・トランジスタ出力形とフォト・IC出力形のフォト・マイクロセンサ（のカタログ）で使われる記号・用語について説明します。

フォト･トランジスタ出力形

記号項目説明
IFPパルス順電流指定温度条件、指定繰返し条件、指定パルス幅条件にて、LEDのアノードからカソード方向へ連続して流しうるパルス電流。
ICコレクタ電流コレクタ接合に流しうる電流。
PCコレクタ損失フォト・トランジスタのコレクタ接合に印加しうる電力。
ID暗電流指定バイアス電圧（コレクタに正、エミッタに負）におけるフォト・トランジスタの漏れ電流で、通常暗黒状態（照度０ℓx）で規定される。
IL光電流指定入力電流条件，指定バイアス電圧条件におけるフォト・トランジスタのコレクタ電流。
VCE(sat)コレクタ･エミッタ間飽和電圧指定電流バイアス条件におけるフォト・トランジスタ、コレクタ・エミッタ間のオン状態電圧。
ILEAK漏れ電流指定入力電流条件、指定バイアス電圧におけるフォト・トランジスタのコレクタ電流。
tr上昇時間指定入力電流条件、指定バイアス条件（電圧，抵抗）におけるフォト・トランジスタの応答波形が、規定出力値の（立上り部）10％から90％に達するまでの時間。
tf下降時間指定入力電流条件、指定バイアス条件（電圧，抵抗）におけるフォト・トランジスタの応答波形が、規定出力値の（立下り部）90％から10％に達するまでの時間。
VCEOコレクタ･エミッタ間電圧エミッタを基準電位とし、コレクタに印加することのできる正の電圧。
VECOエミッタ･コレクタ間電圧コレクタを基準電位とし、エミッタに印加することのできる正の電圧。

フォト･IC出力形

記号項目説明
IF順電流指定温度条件にて、LEDのアノードからカソード方向へ連続して流しうる直流電流。
VR逆電圧LEDのカソードを基準電位とし、アノードに印加することのできる負の電圧。
VCC電源電圧フォト･ICのグランド（接地）を基準電位とし、電源（端子）に印加することのできる正の電圧。
VOUT出力電圧フォト・ICのグランド（接地）を基準電位とし、出力（トランジスタのコレクタ）に印加することのできる正の電圧。
IOUT出力電流フォト・ICの出力トランジスタのコレクタ接合に流しうる電流。
POUT出力許容損失フォト・ICの出力トランジスタのコレクタ接合に印加しうる電力。
VF順電圧指定バイアス電流条件におけるLEDの順方向電圧降下。
IR逆電流LEDのカソードを基準電位とし、アノードに負の指定バイアス電圧を印加したときに流れるLEDの逆漏れ電流。
VOLローレベル出力電圧フォト・IC（出力）がオンした状態における出力の電圧降下（指定電源電圧条件、出力電流条件）。
VOHハイレベル出力電圧フォト・IC（出力）がオフした状態において、出力にあらわれる電圧（指定電源電圧条件、指定バイアス条件）。
ICC消費電流フォト・ICのグランド（接地）を基準電位とし、電源に正の指定バイアス電圧を印加したときに流れる電流。
IFT
(IFT OFF)		出力オフ時LED電流フォト・ICを指定電源電圧条件とし、LEDに順電流を流していった時、フォト・ICの出力がオンからオフに至る時のLED順電流。
IFT
(IFT ON)		出力オン時LED電流フォト・ICを指定電源電圧条件とし、LEDに順電流を流していった時、フォト・ICの出力がオフからオンに至る時のLED順電流。
ΔHヒステリシスフォト・ICの出力条件が反転する２つの状態におけるLED順電流の差を百分率（％）で表わしたもの。
f応答周波数LEDおよびフォト・ICに指定バイアス条件を与え、指定形状の円板を光路内で回転させたとき、フォト・ICの出力論理が確保できる円板の回転速度をパルス列の数で表わしたもの（フォト・ICが１秒間に応答可能なパルス列の数）。

最終更新日：2025年11月04日