Page top

G3VM-□MT

MOS FETリレーモジュール

G3VM-□MT

漏れ電流1pA以下により機器の高信頼性化に貢献

2026年03月受注終了予定

※ Web特別価格提供品

形G3VM-□MTを動画でご紹介

MOS FETリレーの長寿命と漏れ電流1pA以下の両立を実現し機器の高信頼性化に貢献。説明動画やリファレンスデザインレポートを公開中

形式基準

G3VM-□MT 種類/価格 1

種類

形状 接点構成 端子種類 負荷電圧
(最大)*
連続負荷電流(最大)* 梱包形態/テーピングカット 梱包形態/テーピング
メイン サブ 形式 最小梱包単位(個) 形式 最小梱包単位(個)
モジュール 1a サーフェス・
マウント端子
20V 200mA 形G3VM-21MT 1 形G3VM-21MT(TR01) 100
60V 800mA 400mA 形G3VM-61MT 形G3VM-61MT(TR01)
100V 550mA 形G3VM-101MT 形G3VM-101MT(TR01)

注1. テーピング包装(サーフェス・マウント端子タイプ)をご注文の際には、形式末尾に(TR01)をお付けください。
   また、テーピングカット品にてご購入の場合は無防湿梱包のため、実装の際は手付けはんだにてお願いいたします。
注2. 500個巻タイプもご用意しております(500個/リール)。ご注文の際には、お取引き商社にお問い合わせください。
*連続負荷電流(最大)、負荷電圧(最大):ピークAC、DCを表わします。