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G3VM-□MT

MOS FETリレーモジュール

G3VM-□MT

漏れ電流1pA以下により機器の高信頼性化に貢献

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※ Web特別価格提供品

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MOS FETリレーの長寿命と漏れ電流1pA以下の両立を実現し機器の高信頼性化に貢献。説明動画やリファレンスデザインレポートを公開中

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この商品について

関連情報

情報更新 : 2023/12/18

• 負荷電圧 20V/60V/100V＊1

• Tスイッチ機能搭載でfAレベルの極小漏れ電流を実現し、

　従来のリードリレーと同等の計測性能に貢献＊2

• 小型パッケージでプリント基板上の実装スペース削減に貢献

＊1. 形G3VM-21MT：高アイソレーションタイプ（インサーションロスtyp. -3dB@1GHz）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（アイソレーションtyp. -20dB@1GHz＿5ピンON状態でGND接続時）
　　形G3VM-61MT：高電流タイプ（連続負荷電流IO=800mA）
　　形G3VM-101MT：高耐圧タイプ（負荷電圧VOFF=100V）
＊2. 測定条件　形G3VM-21MT@VOFF=20V、形G3VM-61MT@VOFF=50V、形G3VM-101MT@VOFF=80V

情報更新 : 2023/12/18

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