プリント基板へ実装する端子形状を持ったリレーの総称。有接点リレー、無接点リレーなど品揃え。シグナルリレー/MOS FETリレー/ソリッドステート・リレー等があり主に2A以下の負荷開閉に使用。通信機器や医療機器、理化学機器など制御基板に搭載され幅広いアプリケーションに対応。
プリント基板用リレーの受注終了品は以下の 29 商品があります。
パワーリレー
G2RL-TP
105℃・16A開閉を実現したタブ端子タイプの低背パワーリレー
ソリッドステート・リレー
G3M
形G3Mに5A負荷開閉タイプをシリーズ化
ソリッドステート・リレー
G3MB
小型、低価格の2A開閉プリント基板用SSR
ソリッドステート・リレー
G3MC
小型、スリムのプリント基板用SSRに強化絶縁品をシリーズ化
ソリッドステート・リレー
G3R / G3RD
プリント基板用SSR。形G2Rパワーリレーと同一形状
I/Oソリッドステート・リレー
G3TB
ロジック回路と負荷のインターフェース用I/Oソリッドステート・リレー
MOS FETリレー DIP6ピン 高絶縁タイプ
G3VM-□BY / □EY
DIP6ピンパッケージで入出力間耐電圧AC5,000Vを実現したMOS FETリレー
MOS FETリレー DIP8ピン 多極接点構成タイプ
G3VM-□C□ / □F□ / □CR / □FR
様々な回路に対応できるDIP8ピンパッケージ 多極接点構成のMOS FETリレー
MOS FETリレー SOP6ピン 汎用タイプ
G3VM-□H□
様々な用途に対応できるSOP6ピンパッケージの汎用MOS FETリレー
MOS FETリレー SOP8ピン 多極接点構成タイプ
G3VM-□J□
様々な回路に対応できるSOP8ピンパッケージの多極接点構成のMOS FETリレー
MOS FETリレー カレントリミットタイプ
G3VM-□L / □FL / □GL
過電流からの保護に最適な自己保護機能(カレントリミット)付きMOS FETリレー
MOS FETリレーモジュール
G3VM-□MT
漏れ電流1pA以下により機器の高信頼性化に貢献
MOS FETリレー DIP 汎用タイプ
G3VM-353A / D / B / E
DIPパッケージの汎用MOS FETリレー
MOS FETリレー
G3VM-41GR3
低C×R=15pF・Ωを実現した新型MOS FETリレー。負荷電圧40Vタイプ
MOS FETリレー
G3VM-41GR7
低C×R=10pF・Ωを実現した新型MOS FETリレー。負荷電圧40Vタイプ
MOS FETリレー
G3VM-41LR3
世界最小※SSOPパッケージ。低C×R=15pF・Ωを実現した新型MOS FETリレー負荷電圧40Vタイプ ※2011年3月現在。当社調べ。
MOS FETリレー
G3VM-61VY
SOP4ピン特殊パッケージ 入出力間耐電圧 AC3.75kV
MOS FETリレー SOP4ピン 汎用タイプ
G3VM-81G□
様々な用途に対応できるSOP4ピンパッケージの汎用MOS FETリレー
パワーリレー
G4A
投入80A、通電、しゃ断20Aを実現した1極小型パワーリレー
マイクロリレー
G5A
2c小型タイプでワイドバリエーション
パワーリレー
G5LE
10Aのキュービックタイプの 1極パワーリレー
パワーリレー
G5SB
1極5A開閉の小型リレー
パワーリレー
G6DS
1極5A開閉の小型スリムパワーリレー
マイクロリレー
G6H
小型・高感度の2極信号切換用リレー
パワーリレー
G6M
幅5mmの機器インターフェース用スリムパワーリレー
サーフェス・マウント高周波リレー
G6W
表面実装に対応した5GHz帯小型1極高周波リレー
高周波リレー
G6Y
マイクロストリップラインを応用した開閉構造で、高性能化と経済性を両立した高周波リレー
サーフェス・マウント高周波リレー
G6Z
表面実装に対応した、3GHz帯 小型1極高周波リレー
同軸スイッチ
G9YA
26.5GHz帯まで対応した高帯域・高容量の同軸スイッチ
関連情報
© Copyright OMRON Corporation 1996 - 2026.
All Rights Reserved.
