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G3VM-□MT

MOS FETリレーモジュール

G3VM-□MT

漏れ電流1pA以下により機器の高信頼性化に貢献

2026年03月受注終了予定

※ Web特別価格提供品

形G3VM-□MTを動画でご紹介

MOS FETリレーの長寿命と漏れ電流1pA以下の両立を実現し機器の高信頼性化に貢献。説明動画やリファレンスデザインレポートを公開中

(単位:mm)

サーフェス・マウント端子

質量:0.11g

G3VM-□MT 外形寸法 1