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2013/03 受注終了

G3VM-41LR3

MOS FETリレー

G3VM-41LR3

世界最小※SSOPパッケージ。低C×R=15pF・Ωを実現した新型MOS FETリレー負荷電圧40Vタイプ　※2011年3月現在。当社調べ。

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※ このページの記載内容は、生産終了以前の製品カタログに基づいて作成した参考情報であり、製品の特長 / 価格 / 対応規格 / オプション品などについて現状と異なる場合があります。ご使用に際してはシステム適合性や安全性をご確認ください。

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この商品について

関連情報

情報更新 : 2010/11/24

絶対最大定格（Ta＝25℃）

項目 記号 定格 単位 条件
入力側 LED順電流 IF 50 mA
直流順電流低減率 ΔIF/℃ −0.5 mA/℃ Ta≧25℃
LED逆電圧 VR 5 V
接合部温度 TJ 125 ℃
出力側 負荷電圧（ピークAC/DC） VOFF 40 V
連続負荷電流（ピークAC/DC） IO 80 mA
オン電流低減率 ΔIO/℃ −0.8 mA/℃ Ta≧25℃
接合部温度 TJ 125 ℃
入出力間耐電圧（注1） VI-O 1500 Vrms AC1分間
使用周囲温度 Ta −20～＋85 ℃ 氷結・結露のないこと
保管温度 Tstg −40～＋125 ℃ 氷結・結露のないこと
はんだ付け温度条件 ― 260 ℃ 10s

（注1）： 入出力間耐電圧の測定は、LED ピン、受光側ピンをそれぞれ一括し、電圧を印加する。

電気的性能（Ta＝25℃）

項目 記号 最小 標準 最大 単位 条件
入力側 LED順電圧 VF 1.0 1.15 1.3 V IF＝10mA
逆電流 IR ― ― 10 μA VR＝5V
端子間容量 CT ― 15 ― pF V＝0、f＝1MHz
トリガLED順電流 IFT ― ― 4 mA IO＝80mA
出力側 最大出力オン抵抗 RON ― 25 35 Ω IF＝5mA、IO＝80mA、t=10ms
開路時漏れ電流 ILEAK ― ― 1.0 nA VOFF＝30V、Ta＝50℃
端子間容量 COFF ― 0.6 1.4 pF V＝0、f＝100MHz、t＜1s
入出力間容量 CI-O ― 0.8 ― pF f＝1MHz、VS＝0V
入出力間容量絶縁抵抗 RI-O 1000 ― ― MΩ VI-O＝500VDC、ROH≦60%
動作時間 tON ― 0.03 0.5 ms IF＝5mA、RL＝200Ω、VDD＝10V（注2）
復帰時間 tOFF ― 0.12 0.5 ms

（注2）： 動作・復帰時間

G3VM-41LR3 定格/性能 4

情報更新 : 2010/11/24

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