低端子間容量＆低オン抵抗タイプ（低C x R）
半導体テスター用途に最適。C(出力端子間容量)とR(出力オン抵抗)の積を抑えた低CxRタイプ。低C重視、低R重視もラインアップ
低端子間容量＆低オン抵抗タイプ（低C x R） 商品一覧
低端子間容量＆低オン抵抗タイプ（低C x R）は以下の 9 商品があります。
MOS FETリレー WSON4ピン 低端子間容量＆低オン抵抗タイプ (低C×R)
G3VM-61YR
小型WSONパッケージ 高周波信号スイッチに適したMOS FETリレー
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MOSFETリレー S-VSON(L)4ピン 低端子間容量＆低オン抵抗タイプ (低C×R)
G3VM-21QR□ / 41QR□□ / 61QR□
小型S-VSON（L）パッケージ 低C×Rを実現したMOSFETリレー
MOS FETリレー SOP4ピン 低端子間容量＆低オン抵抗タイプ（低C×R）
G3VM-21GR□ / 41GR4 / 41GR5 / 41GR6 / 81GR□
SOP4ピンパッケージで低C×Rを実現したMOS FETリレー
一部商品は2026年3月受注終了予定
MOS FETリレー SSOP 低端子間容量＆低オン抵抗タイプ (低C×R)
G3VM-21LR□
SSOPパッケージで低C×Rを実現したMOS FETリレー
MOS FETリレー SSOP 低端子間容量＆低オン抵抗タイプ (低C×R)
G3VM-41LR□
SSOPパッケージで低C×Rを実現したMOS FETリレー
MOS FETリレー USOP 低端子間容量＆低オン抵抗タイプ (低C×R)
G3VM-21PR□
USOPパッケージで低C×Rを 実現したMOS FETリレー
MOS FETリレー USOP 低端子間容量＆低オン抵抗タイプ（低C×R）
G3VM-41PR□ / 51PR
USOPパッケージで低C×Rを実現したMOS FETリレー
MOS FETリレー VSON 低端子間容量＆低オン抵抗タイプ (低C×R)
G3VM-21UR□
低C×Rを実現したMOS FETリレー
MOS FETリレー VSON 低端子間容量＆低オン抵抗タイプ (低C×R)
G3VM-41UR□ / 51UR
実装面積 3.55mm2の小型VSONをラインナップ。低C×Rを実現したMOS FETリレー
ページ先頭へ戻る生産終了品
生産終了品のカタログ・マニュアルのダウンロード、推奨代替品の確認が行えます。
プリント基板用リレー-
G3VM-21QR□ / 41QR□□ / 61QR□
高速ターンオン･オフを実現した小型MOSFETリレーが新登場
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G9KJ
プリチャージ用途に最適化した設計でDC1,500V対応の小型高容量PCBリレー コンタクタからの置き換えで機器の小型化、組み立て工数減による原価低減に貢献
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G5NB
小型ながら、1極3A ～7A開閉と高容量開閉が可能。幅広い用途に対応した小型パワーリレー
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G6K
プリント基板用端子タイプ（G6K-2P/G6K(U)-2P-Y）に適合した表面実装形ソケットが登場。作業効率の改善、小型化、リレー交換時のメンテナンスコスト削減に貢献
関連情報
- 商品カテゴリ共通
- リレー
- プリント基板用リレー
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