2.6GHzでアイソレーション30dB以上、インサーションロス0.5dB以下、V.SWR1.5以下と優れた高周波特性を実現。

セミトリプレートストリップライン方式の伝送路構造により、サーフェス・マウント端子と優れた高周波特性を両立。

長さ20mm、幅8.6mm、高さ8.9mmと小型を実現。

1巻線ラッチングタイプ（200mW）と、2巻線ラッチングタイプ（360mW）と、逆接点配列タイプをシリーズ化。

既存品と同一端子配列のE型端子構造と、基板設計自由度向上に貢献するY型端子構造をシリーズ化。

75Ωインピーダンスと50Ωインピーダンス両タイプをシリーズ化。