G3DZ

パワーMOS FETリレー

G3DZ

形G6Dと同一形状でAC/DC両用、DC専用をシリーズ化

※ Web特別価格提供品

この商品について

情報更新 : 2021/11/08

●共通の注意事項は、「ソリッドステート・リレー共通の注意事項」をご覧ください。

入力端子に逆方向のサージ電圧が加わる場合、入力端子と逆並列にダイオードを挿入し、3V以上の逆方向電圧を印加しないでください。

ダイオード選定例
耐電圧　VRM：1,000V
順電流　IF：1A

端子は高熱伝導の材料を使用していますので、はんだ付けは自動はんだづけ、手はんだづけとも260℃で10秒以内に行ってください。
また、ソケットに組み込む際は端子が曲がりやすいため確実にかん合させ垂直に押込んでください。

〈C-MOSの場合〉

〈トランジスタの場合〉

リレーをソケットに装着した状態で丸洗い洗浄および基板実装はんだ付けは避けてください。

情報更新 : 2021/11/08