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G3VM-□MT

MOS FETリレーモジュール

G3VM-□MT

漏れ電流*1pA以下により機器の高信頼性化に貢献 *VOFF =20V、50V、80V

※ Web特別価格提供品

形G3VM-□MTを動画でご紹介

MOS FETリレーの長寿命と漏れ電流1pA以下の両立を実現し機器の高信頼性化に貢献。説明動画やリファレンスデザインレポートを公開中

• Tスイッチ機能搭載でfAレベルの極小漏れ電流を実現し、従来のリードリレーと同等の計測性能に貢献

• 接点構成:1a+Tスイッチ機能

• 小型パッケージでプリント基板上の実装スペース削減に貢献