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G3VM-31QV2H / 61QV3H / 61QV4H / 61QV3L

MOS FETリレー S-VSON(L) 電圧駆動タイプ

G3VM-31QV2H / 61QV3H / 61QV4H / 61QV3L

高温125℃対応の電圧駆動MOS FETリレー 超小型S-VSON(L)パッケージ 入力側に電流制限抵抗を内蔵

※ Web特別価格提供品

絶対最大定格(Ta=25℃)

項目 記号 形G3VM-31QV2H 形G3VM-61QV3H 形G3VM-61QV4H 形G3VM-61QV3L 単位 条件
入力側 入力順電圧 VIN 6 4 V
入力逆電圧 VRIN 6 V
接合部温度 TJ 135
出力側 負荷電圧
(ピークAC/DC)
VOFF 30 60 V
連続負荷電流
(ピークAC/DC)
IO 1,500 1,000 400 mA
オン電流低減率 ⊿IO/℃ -14 -9.1 -3.6 -3.64 mA/℃ Ta≧25℃
パルスオン電流 IOP 4,500 3,000 1,200 mA t=100ms、Duty=1/10
接合部温度 TJ 135
入出力間耐電圧(*) VI-O 500 Vrms AC1分間
使用周囲温度 Ta -40~+125 氷結・結露のないこと
保管温度 Tstg -40~+135
はんだ付け温度条件 - 260 10s

注. 構造上において静電気に弱い製品のため取り扱う際には、作業台・人・はんだごて・はんだ実装装置などに対し必ず静電気対策をしてください。
*入出力間耐電圧の測定は、LEDピン、受光側ピンをそれぞれ一括し、電圧を印加します。

電気的性能(Ta=25℃)

項目 記号 形G3VM-31QV2H 形G3VM-61QV3H 形G3VM-61QV4H 形G3VM-61QV3L 単位 条件
入力側 逆電流 IR 最大 10 μA VR=5V
端子間容量 CT 標準 30 80 pF V=0V、f=1MHz
入力順電流 IF 標準 3.5 0.54 3.5 6.6 mA VIN=3.3V(G3VM-31QV2H/-61QV3H/-61QV4H)
VIN=1.8V(G3VM-61QV3L)
動作電圧 VFON 標準 1.4 1.2 1.5 1.2 V IO=100mA
最大 3 1.6
復帰電圧 VFOFF 最小 0.8 IOFF=10μA
標準 1.4 1.1 1.5 1.2
出力側 最大出力
オン抵抗
RON 標準 0.1 0.2 1 Ω IO=連続負荷電流定格値、t<1s
VIN=5V(G3VM-31QV2H/-61QV4H)
VIN=3.3V(G3VM-61QV3H)
VIN=1.8V(G3VM-61QV3L)
最大 0.2 0.3 1.5
開路時
漏れ電流
ILEAK 最大 1,000
(1)
nA VOFF=60V()内はVOFF=50V
(G3VM-61QV3H/-61QV4H/-61QV3L)
VOFF=30V()内はVOFF=20V
(G3VM-31QV2H)
端子間容量 COFF 標準 120 80 12 17 pF V=0V、f=1MHz、t<1s
最大 150 20
入出力間容量 CI-O 標準 1 pF VS=0V、f=1MHz
入出力間容量絶縁抵抗 RI-O 標準 108 VI-O=DC500V、ROH≦60%
動作時間 tON 標準 0.7 6.5 0.22 0.11 ms VDD=20V、 RL=200Ω
VIN=5V(G3VM-31QV2H/-61QV4H)
VIN=3.3V(G3VM-61QV3H)
VIN=1.8V(G3VM-61QV3L)
最大 2 20 0.5 0.35
復帰時間 tOFF 標準 0.1 0.5 0.05 0.045
最大 0.2 1 0.2 0.15

G3VM-31QV2H / 61QV3H / 61QV4H / 61QV3L 定格/性能 4

推奨動作条件

推奨動作条件は、高い信頼度で使用するため、最大定格・電気的性能に対してディレーティングを考慮した指標です。
各項目は独立した条件であり、複合条件を同時に満たすものではありません。

項目 記号 形G3VM-31QV2H 形G3VM-61QV3H 形G3VM-61QV4H 形G3VM-61QV3L 単位
負荷電圧
(ピークAC/DC)
VDD 最大 24 48 V
入力順電圧 VIN 最小 4 2 V
標準 5 2.5
最大 6 3
連続負荷電流
(ピークAC/DC)
IO 最大 1,500 1,000 400 mA
動作温度 Ta 最小 -40
最大 120