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G3VM-63BR / 63ER

MOS FETリレー　DIP6ピン 高容量&低オン抵抗タイプ

G3VM-63BR / 63ER

DIP6ピンパッケージでメカニカルリレー並みの低オン抵抗、高容量開閉を実現した1b接点　MOS FETリレー

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この商品について

関連情報

情報更新 : 2023/12/01

絶対最大定格（Ta＝25℃）

項目 記号 形G3VM-63BR
形G3VM-63ER		 単位 条件
入
力
側		 LED順電流 IF 20 mA
直流順電流低減率 △IF/℃ -0.3 mA/℃ Ta≧58℃
LED逆電圧 VR 6 V
接合部温度 TJ 125 ℃
出
力
側		 負荷電圧
（ピークAC/DC）		 VOFF 60 V
連続負荷電流 A接続 Io 1.2 A A接続：ピークAC/DC
B、C接続：DC
B接続
C接続 2.4
オン電流低減率 A接続 △Io/℃ -12 mA/℃ Ta≧25℃
B接続
C接続 -24
パルスオン電流 Iop 3 A t=100ms、Duty=1/10
接合部温度 TJ 125 ℃
入出力間耐電圧 ＊ VI-O 5000 Vrms AC1分間
使用周囲温度 Ta -40～+110 ℃ 氷結・結露のないこと
保管温度 Tstg -55～+125 ℃
はんだ付け温度条件 ― 260 ℃ 10s

＊入出力間耐電圧の測定は、LEDピン、受光側ピンをそれぞれ一括し、電圧を印加する。

G3VM-63BR / 63ER 定格/性能 3

電気的性能（Ta＝25℃）

項目 記号 形G3VM-63BR
形G3VM-63ER		 単位 条件
入力側 LED順電圧 VF 最小 1.1 V IF=10mA
標準 1.27
最大 1.4
逆電流 IR 最大 10 μA VR＝6V
端子間容量 CT 標準 70 pF V=0V、f=1MHz
トリガLED順電流 IFC 標準 0.3 mA IOFF=10μA
最大 2
復帰LED順電流 IFT 最小 0.01 mA Io=1.2A
出力側 最大出力オン抵抗 A接続 RON 標準 0.3 Ω Io=1.2A
最大 0.6
B接続 標準 0.2
C接続 標準 0.1 Io=2.4A
開路時漏れ電流 ILEAK 最大 10 μA VOFF=60Ｖ、IF=5mA
1 VOFF=40Ｖ、IF=2mA
端子間容量 Coff 標準 550 pF V=0V、f=1MHz、IF=5mA
入出力間容量 CI-O 標準 0.9 pF Vs=0V、f=1MHz
入出力間容量絶縁抵抗 RI-O 最小 1000 MΩ VI-O＝500VDC、RoH≦60%
標準 108
動作時間 tON 標準 0.3 ms IF=5mA、RL=200Ω、VDD=20V ＊
最大 2
復帰時間 tOFF 標準 2
最大 3

＊動作・復帰時間

G3VM-63BR / 63ER 定格/性能 5

推奨動作条件

推奨動作条件は、高い信頼度でご使用いただくため、最大定格・電気的性能に対してディレーティングを考慮した指標です。
各項目は独立した条件であり、複合条件を同時に満たすものではありません。

項目 記号 形G3VM-63BR
形G3VM-63ER		 単位
負荷電圧
（ピークAC/DC）		 VDD 最大 48 V
動作LED順電流 IF 標準 5 mA
最大 10
連続負荷電流
（ピークAC/DC）		 Io 最大 1.2 A
動作温度 Ta 最小 -20 ℃
最大 85

絶縁構造寸法

項目 最小 単位
沿面距離 7.0 mm
空間距離 7.0
絶縁物厚 0.3

情報更新 : 2023/12/01

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