G3VM-63BR / 63ER

MOS FETリレー　DIP6ピン高容量&低オン抵抗タイプ

G3VM-63BR / 63ER

DIP6ピンパッケージでメカニカルリレー並みの低オン抵抗、高容量開閉を実現した1b接点　MOS FETリレー

※ Web特別価格提供品

この商品について

情報更新 : 2023/12/01

項目			記号	形G3VM-63BR 形G3VM-63ER	単位	条件
入力側	LED順電流		I_F	20	mA
	直流順電流低減率		△I_F/℃	-0.3	mA/℃	Ta≧58℃
	LED逆電圧		V_R	6	V
	接合部温度		T_J	125	℃
出力側	負荷電圧（ピークAC/DC）		V_OFF	60	V
	連続負荷電流	A接続	Io	1.2	A	A接続：ピークAC/DC B、C接続：DC
		B接続		1.2
		C接続		2.4
	オン電流低減率	A接続	△Io/℃	-12	mA/℃	Ta≧25℃
		B接続		-12
		C接続		-24
	パルスオン電流		I_op	3	A	t=100ms、Duty=1/10
	接合部温度		T_J	125	℃
入出力間耐電圧＊			V_I-O	5000	Vrms	AC1分間
使用周囲温度			Ta	-40～+110	℃	氷結・結露のないこと
保管温度			Tstg	-55～+125	℃	氷結・結露のないこと
はんだ付け温度条件			―	260	℃	10s

＊入出力間耐電圧の測定は、LEDピン、受光側ピンをそれぞれ一括し、電圧を印加する。

項目			記号		形G3VM-63BR 形G3VM-63ER	単位	条件
入力側	LED順電圧		V_F	最小	1.1	V	I_F=10mA
				標準	1.27
				最大	1.4
	逆電流		I_R	最大	10	μA	V_R＝6V
	端子間容量		C_T	標準	70	pF	V=0V、f=1MHz
	トリガLED順電流		I_FC	標準	0.3	mA	I_OFF=10μA
	トリガLED順電流		I_FC	最大	2	mA	I_OFF=10μA
	復帰LED順電流		I_FT	最小	0.01	mA	Io=1.2A
出力側	最大出力オン抵抗	A接続	R_ON	標準	0.3	Ω	Io=1.2A
		A接続		最大	0.6
		B接続		標準	0.2
		C接続		標準	0.1		Io=2.4A
	開路時漏れ電流		I_LEAK	最大	10	μA	V_OFF=60Ｖ、I_F=5mA
	開路時漏れ電流		I_LEAK	最大	1	μA	V_OFF=40Ｖ、I_F=2mA
	端子間容量		C_off	標準	550	pF	V=0V、f=1MHz、I_F=5mA
入出力間容量			C_I-O	標準	0.9	pF	Vs=0V、f=1MHz
入出力間容量絶縁抵抗			R_I-O	最小	1000	MΩ	V_I-O＝500VDC、RoH≦60%
入出力間容量絶縁抵抗			R_I-O	標準	10⁸	MΩ	V_I-O＝500VDC、RoH≦60%
動作時間			t_ON	標準	0.3	ms	I_F=5mA、R_L=200Ω、V_DD=20V ＊
動作時間			t_ON	最大	2
復帰時間			t_OFF	標準	2
復帰時間			t_OFF	最大	3

＊動作・復帰時間

推奨動作条件は、高い信頼度でご使用いただくため、最大定格・電気的性能に対してディレーティングを考慮した指標です。
各項目は独立した条件であり、複合条件を同時に満たすものではありません。

項目	記号		形G3VM-63BR 形G3VM-63ER	単位
負荷電圧（ピークAC/DC）	V_DD	最大	48	V
動作LED順電流	I_F	標準	5	mA
動作LED順電流	I_F	最大	10	mA
連続負荷電流（ピークAC/DC）	Io	最大	1.2	A
動作温度	Ta	最小	-20	℃
動作温度	Ta	最大	85	℃

情報更新 : 2023/12/01