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G3VM-26M10 / 26M11 / 66M

MOS FETリレーモジュール

G3VM-26M10 / 26M11 / 66M

SPDT接点構成を実現した半導体スイッチングデバイス MOS FETリレーモジュール

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この商品について

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情報更新 : 2019/06/03

絶対最大定格（Ta＝25℃）

項目 記号 定格 単位 条件
形G3VM-26M10 形G3VM-26M11 形G3VM-66M
入力側 入力定格電圧 Vcc 最小 4.8 V Io=連続負荷電流定格値
最大 5.2 V
VCBIT 最小 4.5 V
最大 5.5 V
出力側 負荷電圧（ピークAC/DC） VOFF 20 20 60 V Vcc=5V、Io=連続負荷電流定格値
連続負荷電流（ピークAC/DC） Io 200 1,000 400 mA Vcc=5V
パルスオン電流 Iop 600 3,000 1,200 mA Vcc=5V、t=100ms、Duty=1/10
入出力間耐電圧 VI-O 500 Vrms 50/60Hz、1分
保管温度 Tstg -30～+100 ℃ 氷結・結露のないこと
使用周囲温度 Ta -30～+80 ℃ 氷結・結露のないこと
使用周囲湿度 45～85 %

電気的性能（Ta＝25℃）

項目 記号 定格 単位 条件
形G3VM-26M10 形G3VM-26M11 形G3VM-66M
入力側 入力電流 IINPUT 標準 7.3 mA Vcc=5V
最大 15
出力側 出力オン抵抗 RON 標準 4.4 0.21 1 Ω Vcc=5V、Io=連続負荷電流定格値
最大 5 0.25 1.5
開路時漏れ電流 ILEAK 最大 2 nA VOFF=負荷電圧定格値
端子間容量 COFF 標準 1 40 20 pF VCC=0V、Vs=0V、f=1MHz、t<1s
最大 1.4 - -
入出力間容量 CI-O 標準 3.5 pF Vs=0V、f=1MHz
入出力間絶縁抵抗 RI-O 最小 500 MΩ VI-O=DC500V
動作時間 tON 標準 0.05 0.4 0.3 ms Vcc=5V、Io=連続負荷電流定格値
VOFF=負荷電圧定格値 ＊
最大 0.3 2.5 1
復帰時間 tOFF 標準 0.02 0.04 0.1 ms
最大 0.3 1.5 1

＊出力側の4-5番間、5-6番間は、スペックの範囲内で瞬時に同時ONする可能性があります。

情報更新 : 2019/06/03

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