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EE-SJ8-B

フォト･マイクロセンサ（透過形）

EE-SJ8-B

深溝型・端子タイプ（溝幅：8ｍｍ）

2026年03月受注終了予定

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この商品について

関連情報

情報更新 : 2018/11/12

絶対最大定格（Ta＝25℃）

項目 記号 定格値 単位
発光側
順電流 IF 50＊1 mA
パルス順電流 IFP 1＊2 A
逆電圧 VR 4 V
受光側
コレクタ･エミッタ間電圧 VCEO 30 V
エミッタ･コレクタ間電圧 VECO ̶ ̶
コレクタ電流 IC 20 mA
コレクタ損失 PC 100＊1 mW
周囲温度
動作温度 Topr -25～+85 ℃
保存温度 Tstg -30～+100 ℃
はんだ付け温度 Tsol 260＊3 ℃

＊1. 周囲温度が25℃を越える場合は、データシートの「特性データ（参考値）」の温度定格図をご覧ください。
＊2. パルス幅≦10μs、繰返し100Hz
＊3. はんだ付け時間は10秒以内

外装仕様

接続方式 質量（g） 材質
ケース
プリント基板用端子 1.62 ポリカーボネート

電気的および光学的特性（Ta＝25℃）

項目 記号 特性値 単位 条件
MIN. TYP. MAX.
発光側
順電圧 VF ̶ 1.2 1.5 V IF＝30mA
逆電流 IR ̶ 0.01 10 μA VR＝4V
ピーク発光波長 λP ̶ 940 ̶ nm IF＝20mA
受光側
光電流 IL 0.05 ̶ 5 mA IF＝20mA、
VCE＝10V
暗電流 ID ̶ 2 200 nA VCE＝10V、
0ℓx
漏れ電流 ILEAK ̶ ̶ ̶ ̶ ̶
コレクタ･エミッタ間
飽和電圧		 VCE
（sat）		 ̶ ̶ ̶ ̶ ̶
ピーク分光感度波長 λP ̶ 850 ̶ nm VCE＝10V
上昇時間 tr ̶ 4 ̶ μs VCC＝5V、
RL＝100Ω、
IL＝5mA
下降時間 tf ̶ 4 ̶ μs VCC＝5V、
RL＝100Ω、
IL＝5mA

情報更新 : 2018/11/12

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