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G3VM-41UR□ / 51UR

MOS FETリレー VSON 低端子間容量&低オン抵抗タイプ (低C×R)

G3VM-41UR□ / 51UR

実装面積 3.55mm2の小型VSONをラインナップ。低C×Rを実現したMOS FETリレー

※ Web特別価格提供品

絶対最大定格(Ta=25℃)

項目 記号 形G3VM-41UR12 形G3VM-41UR10 形G3VM-41UR11 形G3VM-41UR4 形G3VM-51UR 単位 条件


LED順電流 IF 30 mA
直流順電流低減率 △IF/℃ -0.3 mA/℃ Ta≧25℃
LED逆電圧 VR 5 6 5 V
接合部温度 TJ 125


負荷電圧(ピークAC/DC) VOFF 40 50 V
連続負荷電流(ピークAC/DC) Io 100 120 140 250 300 mA
オン電流低減率 △Io/℃ -1.0 -1.2 -1.4 -2.5 -3 mA/℃ Ta≧25℃
パルスオン電流 Iop 300 360 420 750 900 mA t=100ms、Duty=1/10
接合部温度 TJ 125
入出力間耐電圧 *1 *2 VI-O 500 Vrms AC1分間
使用周囲温度 Ta -40~+110 氷結・結露のないこと
保管温度 Tstg -40~+125
はんだ付け温度条件 260 10s

*1. 構造上において静電気に弱い製品のため取り扱う際には、作業台・人・はんだごて・はんだ実装装置などに対し必ず静電気対策をお願いいたします。
*2. 入出力間耐電圧の測定は、LEDピン、受光側ピンをそれぞれ一括し、電圧を印加する。

電気的性能(Ta=25℃)

項目 記号 形G3VM-41UR12 形G3VM-41UR10 形G3VM-41UR11 形G3VM-41UR4 形G3VM-51UR 単位 条件


LED順電圧 VF 最小 1.1 V I F =10mA
標準 1.27
最大 1.4
逆電流 IR 最大 10 μA VR=5V
端子間容量 CT 標準 30 pF V=0V、f=1MHz
トリガLED順電流 IFT 標準 0.9 0.7 0.8 mA G3VM-41UR12/41UR10/41UR11/51UR:IO=100mA
G3VM-41UR4:IO=250mA
最大 3
復帰LED順電流 IFC 最小 0.1 mA IOFF=10μA


最大出力オン抵抗 RON 標準 15 12 5 2 1 Ω IF=5mA、t<1s、
IO=連続負荷電流定格値
最大 20 14 10 3 1.5
開路時漏れ電流 ILEAK 最大 1 nA G3VM-41UR12/41UR10/41UR11/51UR:
VOFF=負荷電圧定格値
G3VM-41UR4:
VOFF=30V、Ta=50℃
端子間容量 COFF 標準 0.3 0.45 0.7 5 12 pF G3VM-41UR12/41UR10/41UR11/51UR:
V=0V、f=100MHz、t<1s
G3VM-41UR4:
V=0V、f=1MHz
最大 0.6 0.8 1.3 7 20
入出力間容量 CI-O 標準 1 pF VS =0V、f=1MHz
入出力間容量絶縁抵抗 RI-O 標準 108 VI-O =500VDC、ROH≦60%
動作時間 tON 標準 0.05 0.06 0.08 ms IF=5mA、RL=200Ω、
VDD=20V *1
最大 0.2 0.3 0.5
復帰時間 tOFF 標準 0.03 0.03 0.04
最大 0.2 0.3 0.2 0.3 0.4
等価立ち上がり時間 ERT 標準 40 ps IF=5mA、VDD=0.25V、
Tr(in)=25ps *2
最大 90

*1. 動作・復帰時間

G3VM-41UR□ / 51UR 定格/性能 4

*2. 等価立上り時間

G3VM-41UR□ / 51UR 定格/性能 5

推奨動作条件

推奨動作条件は、高い信頼度でご使用いただくため、最大定格・電気的性能に対してディレーティングを考慮した指標です。
各項目は独立した条件であり、複合条件を同時に満たすものではありません。

項目 記号 形G3VM-41UR12 形G3VM-41UR10 形G3VM-41UR11 形G3VM-41UR4 形G3VM-51UR 単位
負荷電圧(ピークAC/DC) VDD 最大 32 40 V
動作LED順電流 IF 最小 5 5 mA
標準 7.5 5 7.5
最大 20
連続負荷電流(ピークAC/DC) IO 最大 100 120 140 250 300
動作温度 Ta 最小 -20
最大 85