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G3VM-21PR□

MOS FETリレー USOP 低端子間容量&低オン抵抗タイプ (低C×R)

G3VM-21PR□

USOPパッケージで低C×Rを 実現したMOS FETリレー

※ Web特別価格提供品

絶対最大定格(Ta=25℃)

項目 記号 形G3VM-21PR10 形G3VM-21PR1 形G3VM-21PR11 単位 条件


LED順電流 IF 50 mA
直流順電流低減率 ΔIF/℃ -0.5 mA/℃ Ta≧25℃
LED逆電圧 VR 5 V
接合部温度 TJ 125


負荷電圧(ピークAC/DC) VOFF 20 V
連続負荷電流(ピークAC/DC) Io 200 450 900 mA
オン電流低減率 ΔIo/℃ -2.0 -4.5 -12 mA/℃ 形G3VM-21PR10/21PR1 : Ta≧25℃
形G3VM-21PR11 : Ta≧50℃
パルスオン電流 IOp 600 1,300 2,700 mA t=100ms、Duty=1/10
接合部温度 TJ 125
入出力間耐電圧 * VI-O 500 Vrms AC1分間
使用周囲温度 Ta -40~+85 氷結・結露のないこと
保管温度 Tstg -40~+125
はんだ付け温度条件 260 10s

* 入出力間耐電圧の測定は、LEDピン、受光側ピンをそれぞれ一括し、電圧を印加する。

電気的性能(Ta=25℃)

項目 記号 形G3VM-21PR10 形G3VM-21PR1 形G3VM-21PR11 単位 条件


LED順電圧 VF 最小 1.0 V IF=10mA
標準 1.15
最大 1.3
逆電流 IR 最大 10 μA VR=5V
端子間容量 CT 標準 15 pF V=0、f=1MHz
トリガLED順電流 IFT 標準 1 0.6 mA Io=100mA
最大 3
復帰LED順電流 IFC 最小 0.1 mA IOFF=10μA


最大出力オン抵抗 RON 標準 3 0.6 0.18 Ω IF=5mA、t<1s
Io=連続負荷電流定格値
最大 5 1.2 0.22
開路時漏れ電流 ILEAK 最大 1 nA VOFF=20V
端子間容量 COFF 標準 0.8 5 40 pF V=0、f=100MHz、t<1s
最大 1.1 12 -
入出力間容量 CI-O 標準 0.4 pF f=1MHz、VS=0V
入出力間容量絶縁抵抗 RI-O 最小 1000 VI-O=500VDC、ROH≦60%
標準 108
動作時間 tON 標準 0.04 0.2 0.5 ms IF=5mA、RL=200Ω、
VDD=10V *1
最大 0.2 0.5 2
復帰時間 tOFF 標準 0.13 0.2 0.1
最大 0.2 0.5 1
等価立上り時間 ERT 標準 - 40 - IF=5mA、VDD=0.25V、
Tr(in)=25ps *2
最大 - 90 -

*1. 動作・復帰時間

G3VM-21PR□ 定格/性能 4

*2. 等価立上り時間

G3VM-21PR□ 定格/性能 5

推奨動作条件

推奨動作条件は、高い信頼度でご使用いただくため、最大定格・電気的性能に対してディレーティングを考慮した指標です。
各項目は独立した条件であり、複合条件を同時に満たすものではありません。

項目 記号 形G3VM-21PR10 形G3VM-21PR1 形G3VM-21PR11 単位
負荷電圧(ピークAC/DC) VDD 最大 16 V
動作LED順電流 IF 最小 5 mA
標準 7.5
最大 20
連続負荷電流(ピークAC/DC) Io 最大 200 450 900
動作温度 Ta 最小 -20
最大 65