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G3VM-21UR□

MOS FETリレー VSON 低端子間容量＆低オン抵抗タイプ (低C×R)

G3VM-21UR□

低C×Rを実現したMOS FETリレー

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この商品について

関連情報

情報更新 : 2022/06/01

絶対最大定格（Ta＝25℃）

項目 記号 形G3VM-21UR10 形G3VM-21UR1 形G3VM-21UR11 単位 条件
入
力
側		 LED順電流 IF 30 mA
直流順電流低減率 ΔIF/℃ -0.3 mA/℃ Ta≧25℃
LED逆電圧 VR 5 V
接合部温度 TJ 125 ℃
出
力
側		 負荷電圧（ピークAC/DC） VOFF 20 V
連続負荷電流（ピークAC/DC） Io 200 450 1,000 mA
オン電流低減率 ΔIo/℃ -2 -4.5 -10 mA/℃ Ta≧25℃
パルスオン電流 Iop 0.6 1.3 3 A t=100ms、Duty=1/10
接合部温度 TJ 125 ℃
入出力間耐電圧 ＊1 ＊2 VI-O 500 Vrms AC1分間
使用周囲温度 Ta -40～+110 ℃ 氷結・結露のないこと
保管温度 Tstg -40～+125 ℃
はんだ付け温度条件 ― 260 ℃ 10s

＊1. 入出力間耐電圧の測定は、LEDピン、受光側ピンをそれぞれ一括し、電圧を印加する。
＊2. 入出力間耐電圧500Vrmsは2016年12月の生産分より適用する。2016年11月までの生産分は300Vrmsとする。

電気的性能（Ta＝25℃）

項目 記号 形G3VM-21UR10 形G3VM-21UR1 形G3VM-21UR11 単位 条件
入
力
側		 LED順電圧 VF 最小 1.1 V IF＝10mA
標準 1.22
最大 1.4
逆電流 IR 最大 10 μA VR＝5V
端子間容量 CT 標準 30 pF V＝0、f＝1MHz
トリガLED順電流 IFT 標準 0.9 0.6 — mA Io＝100mA
最大 3
復帰LED順電流 IFC 最小 0.1 mA IOFF=10μA
出
力
側		 最大出力オン抵抗 RON 標準 3 0.8 0.18 Ω IF＝5mA、t＜1s、
Io=連続負荷電流定格値
最大 5 1.2 0.22
開路時漏れ電流 ILEAK 最大 1 nA VOFF＝20V
端子間容量 COFF 標準 0.8 5 40 pF V＝0、f＝100MHz、t＜1s
最大 1.1 12 —
入出力間容量 CI-O 標準 1 pF f＝1MHz、VS＝0V
入出力間容量絶縁抵抗 RI-O 標準 108 MΩ VI-O＝500VDC、RoH≦60%
動作時間 tON 標準 0.05 0.17 — ms IF＝5mA、RL＝200Ω、
VDD＝10V ＊
最大 0.2 0.4 2
復帰時間 tOFF 標準 0.02 0.03 —
最大 0.2 0.4 1

＊ 動作・復帰時間

G3VM-21UR□ 定格/性能 4

推奨動作条件

推奨動作条件は、高い信頼度でご使用いただくため、最大定格・電気的性能に対してディレーティングを考慮した指標です。
各項目は独立した条件であり、複合条件を同時に満たすものではありません。

項目 記号 形G3VM-21UR10 形G3VM-21UR1 形G3VM-21UR11 単位
負荷電圧（ピークAC/DC） VDD 最大 16 V
動作LED順電流 IF 最小 5 mA
標準 7.5
最大 20
連続負荷電流（ピークAC/DC） Io 最大 200 450 1,000
動作温度 Ta 最小 -20 ℃
最大 85

情報更新 : 2022/06/01

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