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2013/03 受注終了

G3VM-41GR3

MOS FETリレー

G3VM-41GR3

低C×R=15pF・Ωを実現した新型MOS FETリレー。負荷電圧40Vタイプ

※ Web特別価格提供品

※ このページの記載内容は、生産終了以前の製品カタログに基づいて作成した参考情報であり、製品の特長 / 価格 / 対応規格 / オプション品などについて現状と異なる場合があります。ご使用に際してはシステム適合性や安全性をご確認ください。

絶対最大定格(Ta=25℃)

項目 記号 定格 単位 条件
入力側 LED順電流 IF 50 mA
直流順電流低減率 ΔIF/℃ −0.5 mA/℃ Ta≧25℃
LED逆電圧 VR 5 V
接合部温度 TJ 125
出力側 負荷電圧(ピークAC/DC) VOFF 40 V
連続負荷電流(ピークAC/DC) IO 80 mA
オン電流低減率 ΔIO/℃ −0.8 mA/℃ Ta≧25℃
接合部温度 TJ 125
入出力間耐電圧(注1) VI-O 1500 Vrms AC1分間
使用周囲温度 Ta −20~+85 氷結・結露のないこと
保管温度 Tstg −40~+125 氷結・結露のないこと
はんだ付け温度条件 260 10s

(注1): 入出力間耐電圧の測定は、LED ピン、受光側ピンをそれぞれ一括し、電圧を印加する。

電気的性能(Ta=25℃)

項目 記号 最小 標準 最大 単位 条件
入力側 LED順電圧 VF 1.0 1.15 1.3 V IF=10mA
逆電流 IR 10 μA VR=5V
端子間容量 CT 15 pF V=0、f=1MHz
トリガLED順電流 IFT 4 mA IO=80mA
出力側 最大出力オン抵抗 RON 25 35 Ω IF=5mA、IO=80mA、t<1s
開路時漏れ電流 ILEAK 1.0 nA VOFF=30V、Ta=50℃
端子間容量 COFF 0.6 1.4 pF V=0、f=100MHz、t<1s
入出力間容量 CI-O 0.8 pF f=1MHz、VS=0V
入出力間容量絶縁抵抗 RI-O 1000 VI-O=500VDC、ROH≦60%
動作時間 tON 0.5 ms IF=10mA、RL=200Ω、VDD=20V(注2)
復帰時間 tOFF 0.5 ms

(注2): 動作・復帰時間

G3VM-41GR3 定格/性能 4