形式 | 形3Z4L-S501RV3 | 形3Z4L-S503RV3 | 形3Z4L-S506RV3 | 形3Z4L-S512RV3 | ||
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レーザ光源 (発光波長) |
可視光半導体レーザ(650nm、1mW、クラス2) | |||||
測定幅 | 10mm | 30mm | 60mm | 120mm | ||
最小検出物体 | Φ 0.05mm | Φ 0.3mm | Φ 1mm | Φ 1mm | ||
レーザ走査範囲 | 17mm | 34mm | 64mm | 124mm | ||
最小読み取り幅 | 0.01μm(0.01~ 10μmに設定可) |
0.02μm(0.02~ 100μmに設定可) |
0.05μm(0.05~ 100μmに設定可) |
0.1μm(0.1~ 100μmに設定可) |
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繰り返し精度 | ±0.04μm | ±0.11μm | ±0.36μm | ±0.85μm | ||
指示 精度 |
直線性 | 全範囲 | ±0.5μm | ±1.0μm | ±3.0μm | ±6.0μm |
狭範囲 | ±(0.3+0.1ΔD)μm *1 *2 |
±(0.6+0.1ΔD)μm *1 *2 |
±(1.5+0.5ΔD)μm *1 *2 |
±(4.0+0.5ΔD)μm *1 *2 |
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位置誤差 | ±0.5μm | ±1.5μm | ±4.0μm | ±8.0μm | ||
測定領域 *3 | 2×10mm (0.05~0.1mm) 4×10mm (0.1~10mm) |
10×30mm | 20×60mm | 30×120mm | ||
投受光部間 距離 *3 |
標準 | 68mm | 130mm | 273mm | 321mm | |
最大 | 100mm | 350mm | 700mm | 700mm | ||
レーザ走査回数 | 3,200回/s | |||||
レーザ走査速度 | 113m/s | 226m/s | 452m/s | 904m/s | ||
保護構造 | IEC規格 IP64 | |||||
周囲温度範囲 | 動作時: 0~+40℃ 保存時:−15~+60℃(ただし、氷結、結露しないこと) | |||||
周囲湿度範囲 | 動作時、保存時: 各35~85%RH(ただし、結露しないこと) | |||||
接続方式 | コネクタ式コード引き出しタイプ(標準コード長5m) | |||||
質量 ※梱包状態 | 約3kg (本体投光部:約0.7kg 本体受光部:約0.4kg 支持ベース:約0.3kg) |
約4.6kg (本体投光部:約1.1kg 本体受光部:約0.6kg 支持ベース:約0.5kg) |
約8kg (本体投光部:約1.4kg 本体受光部:約0.8kg 支持ベース:約0.8kg) |
約12.8kg (本体投光部:約3kg 本体受光部:約1.2kg 支持ベース:約1.8kg) |
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材質 | 本体 | アルミダイカスト | ||||
支持ベース | SPCC | |||||
付属品 | 信号コード 5m、 IDユニット、 取扱説明書 |