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2004/07 受注終了

Z4M-N30V

正反射式レーザ変位センサ

Z4M-N30V

計測ポイントのわかる可視光タイプ(クラス2)拡散面から光沢のある金属面でも安定検出

※ Web特別価格提供品

※ このページの記載内容は、生産終了以前の製品カタログに基づいて作成した参考情報であり、製品の特長 / 価格 / 対応規格 / オプション品などについて現状と異なる場合があります。ご使用に際してはシステム適合性や安全性をご確認ください。

本体

形式 形Z4M-N30V
光源(発光波長) 可視光半導体レーザ(波長 670nm、1mW以下、クラス 2)
測定範囲 ±2mm
測定中心距離 30mm
投光スポット径*1 Φ 100μm以下(測定中心)
リニアリティ*2 ±0.5%F.S
温度特性* 3 センサ部 0.03%F.S/℃
アンプ部 0.02%F.S/℃
変位出力 アナログ
出力
出力形式 4~20mA/28~32mm負荷インピーダンス 300Ω以下
分解能*4 4μm(1ms時)/0.4μm(100ms時)
応答時間*5 1ms/100ms切替
デジタル
出力
出力形態*6 12ビットバイナリ出力(分割転送:転送周期 0.1ms)*7
繰り返し精度*8 10μm
応答時間 0.4ms
判別出力 出力形式 NPNオープンコレクタ出力 DC30V 100mA以下 2出力残留電圧 1V以下
応差 ±1%F.S
応答時間 ON時0.4ms、OFF時1ms(負荷電流 2mA以上)
イネーブル出力 NPNオープンコレクタ出力、 DC30V 100mA以下残留電圧 1V以下
レーザオフ入力 ON時(ON電圧 10.2V以上/15mA以下):レーザ OFF
開放時(OFF電圧 3V以下):レーザ ON
(レーザ OFF時、全出力、表示ホールド機能つき)
電源電圧 DC12~24V±10%リップル(p-p)10%以下
消費電流 200mA以下
使用周囲照度 受光面照度白熱ランプ: 3,000lx以下
周囲温度 動作時: 0~+50℃、保存時:−15~+60℃(ただし、氷結、結露しないこと)
周囲湿度 動作時、保存時:各 35~85%RH(ただし、結露しないこと)
振動(耐久) 10~55Hz(複振幅 1.5mm)X、Y、Z各方向 32min
耐電圧 センサ部 AC1,000V 50/60Hz 1min
アンプ部 AC300V 50/60Hz 1min
材質 センサ部 アルミダイカスト
アンプ部 ABS
保護構造 センサ部 IEC規格 IP40
アンプ部 IEC規格 IP20
接続方式 コネクタ接続方式
質量※梱包状態 約620g(本体センサ部: 250g、本体アンプ部: 250g)
付属品 取扱説明書、抵抗器 250Ω 1/2W
フェライトコア(ZCAT2035-0930A)
CLASS2警告説明ラベル(EN 68025: 1991)
FDA CLASS Ⅱ警告ラベル、 FDA レーザ放出開口ラベル
FDA 証明ラベル

*1. スポット径:中心光強度の1/e2(13.5%)で定義。定義域外にも漏れ光があり、対象物の周囲の状況が対象物に比べて光の反射率が高い場合は、影響がある場合があります。
*2. リニアリティ:白色アルミナセラミック測定時における変位出力の理想直線に対する誤差。対象物によって直線性が変ることがあります。

Z4M-N30V 定格/性能 2

*3. 温度特性:センサ部と対象物(白色アルミナセラミック)の間をアルミの治具で固定した場合の値です。
*4. 分解能: 変位出力のpeak to peakの変位換算値。(対象物が白色アルミナセラミックで、測定中心で測定した場合。)強い電磁界内では、分解能の性能を満足できない場合があります。
*5. 応答時間:変位量がステップ上に変化したときのアナログ変位出力の立上がり、立下がり時間(10~90%)。誤差を1%以下に抑えたい場合は、さらに約2~3倍の時間が必要になります。

Z4M-N30V 定格/性能 3

*6. デジタル出力:変位データを高速にサンプリングして、平均処理などのデータの後加工をする場合に、使用できます。詳しくは、「入出力段回路図」と「接続」をご覧ください。
*7. 転送周期:詳細は、「接続」をご覧ください。
*8. 繰り返し精度:デジタル出力のサンプリング後のデータのばらつきを±3σで距離換算した値。(白色アルミナセラミックを測定中心で測定時)
注. F.S =4mm