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G3VM-61YR

MOS FETリレー　WSON4ピン 低端子間容量＆低オン抵抗タイプ (低C×R)

G3VM-61YR

小型WSONパッケージ　高周波信号スイッチに適したMOS FETリレー

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この商品について

関連情報

情報更新 : 2024/09/02

絶対最大定格（Ta＝25℃）

項目 記号 形G3VM-61YR 単位 条件
入
力
側		 LED順電流 IF 30 mA
直流順電流低減率 ⊿IF/℃ -0.3 mA/℃ Ta≧25℃
LED逆電圧 VR 6 V
接合部温度 TJ 125 ℃
出
力
側		 負荷電圧（ピークAC/DC） VOFF 60 V
連続負荷電流（ピークAC/DC） IO 400 mA
オン電流低減率 ⊿IO/℃ -4 mA/℃ Ta≧25℃
パルスオン電流 IOP 1.2 A t=100ms、Duty=1/10
接合部温度 TJ 125 ℃
入出力間耐電圧＊１ VI-O 300 Vrms AC1分間
使用周囲温度 Ta -40～+110 ℃ 氷結・結露のないこと
保管温度 Tstg -40～+125 ℃
はんだ付け温度条件 ― 260 ℃ 10s

＊1. 入出力間耐電圧の測定は、LED ピン、受光側ピンをそれぞれ一括し、電圧を印加する。
注. 構造上において静電気に弱い製品のため取り扱う際には、作業台・人・はんだごて・はんだ実装装置などに対し必ず静電気対策をお願いいたします。

電気的性能（Ta＝25℃）

項目 記号 形G3VM-61YR 単位 条件
入
力
側		 LED順電圧 VF 最小 1.1 V IF=10mA
標準 1.24
最大 1.4
逆電流 IR 最大 10 μA VR=5V
端子間容量 CT 標準 90 pF V=0V、f=1MHz
トリガLED順電流 IFT 最大 3 mA IO=100mA
復帰LED順電流 IFC 最小 0.1 mA IOFF=10μA
出
力
側		 最大出力オン抵抗 RON 標準 1.1 Ω IF=5mA、t<1s、Io=400mA
最大 1.5
開路時漏れ電流 ILEAK 最大 1000（1） nA VOFF= 60V
（ ）内はVOFF=50V
端子間容量 Coff 標準 12 pF V=0V、f=1MHz、t<1s
最大 20
入出力間容量 CI-O 標準 0.9 pF VS=0V、f=1MHz
入出力間容量絶縁抵抗 RI-O 標準 108 MΩ VI-O=300VDC、RoH≦60%
動作時間 tON 標準 0.1（0.05） ms IF=5mA、RL＝200Ω、VDD＝20V ＊1
（　）内はIF=10mA、RL=200Ω、
VDD=20V ＊1
最大 0.25（0.2）
復帰時間 tOFF 標準 0.05（0.06） ms
最大 0.2（0.2）

＊1. 動作・復帰時間

G3VM-61YR 定格/性能 4

推奨動作条件

推奨動作条件は、高い信頼度でご使用いただくため、最大定格・電気的性能に対してディレーティングを考慮した指標です。
各項目は独立した条件であり、複合条件を同時に満たすものではありません。

項目 記号 形G3VM-61YR 単位
負荷電圧（ピークAC/DC） VDD 最大 48 V
動作LED順電流 IF 最小 5 mA
標準 7.5
最大 20
連続負荷電流（ピークAC/DC） IO 最大 400
動作温度 Ta 最小 -20 ℃
最大 100

情報更新 : 2024/09/02

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