EE-SY193

フォト･マイクロセンサ（反射形）

EE-SY193

超小型反射形・SMDタイプ（標準検出距離＝1mm）

※ Web特別価格提供品

※ このページの記載内容は、生産終了以前の製品カタログに基づいて作成した参考情報であり、製品の特長 / 価格 / 対応規格 / オプション品などについて現状と異なる場合があります。ご使用に際してはシステム適合性や安全性をご確認ください。

この商品について

情報更新 : 2018/11/12

項目		記号	定格値	単位
発光側
	順電流	I_F	25＊1	mA
	パルス順電流	I_FP	100＊2	mA
	逆電圧	V_R	6	V
受光側
	コレクタ･エミッタ間電圧	V_CEO	18	V
	エミッタ･コレクタ間電圧	V_ECO	4	V
	コレクタ電流	I_C	20	mA
	コレクタ損失	P_C	75＊1	mW
動作温度		T_opr	-30～+80	℃
保存温度		T_stg	-40～+85	℃
リフローはんだ付け温度		T_sol	220＊3	℃
手はんだ付け温度		T_sol	300＊4	℃

＊1. 周囲温度が25℃を越える場合は、データシートの「特性データ（参考値）」の「温度定格図」をご覧ください。
＊2. パルス幅≦10μs、繰返し100Hz
＊3. はんだ付け時間は10秒以内
＊4. はんだ付け時間は3秒以内

項目		記号	特性値			単位	条件
項目		記号	MIN.	TYP.	MAX.	単位	条件
発光側
	順電圧	V_F	̶	1.1	1.3	V	I_F＝4mA
	逆電流	I_R	̶	̶	10	μA	V_R＝6V
	ピーク発光波長	λ_P	̶	940	̶	nm	I_F＝20mA
受光側
	光電流	I_L	100	150	360	μA	I_F＝4mA、V_CE＝2V アルミ蒸着ガラス、d＝1mm＊
	暗電流	I_D	̶	̶	100	nA	V_CE=10V、0ℓx
	漏れ電流	I_LEAK	̶	̶	1	μA	I_F＝4mA、V_CE＝2V
	コレクタ･エミッタ間飽和電圧	V_CE （sat）	̶	̶	̶	V	̶
	ピーク分光感度波長	λ_P	̶	900	̶	nm	̶
上昇時間		tr	̶	25	̶	μs	V_CC= 2V、R_L=1kΩ
下降時間		tf	̶	30	̶	μs	V_CC= 2V、R_L=1kΩ

＊dはセンサ上面から反射物までの距離

接続方式	質量（g）	材質
接続方式	質量（g）	モールド
表面実装タイプ	0.014	LCP

情報更新 : 2018/11/12