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G3VM-31QR / 61QR2 / 101QR1

MOS FETリレー　S-VSON(L)4ピン 高容量&低オン抵抗タイプ

G3VM-31QR / 61QR2 / 101QR1

小型S-VSON(L)パッケージ　高容量開閉を実現したMOS FETリレー

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この商品について

関連情報

情報更新 : 2018/04/16

絶対最大定格（Ta＝25℃）

項目 記号 形G3VM-31QR 形G3VM-61QR2 形G3VM-101QR1 単位 条件
入
力
側		 LED順電流 IF 30 mA
直流順電流低減率 ⊿IF/℃ -0.3 mA/℃ Ta≧25℃
LED逆電圧 VR 5 V
接合部温度 TJ 125 ℃
出
力
側		 負荷電圧(ピークAC/DC) VOFF 30 60 100 V
連続負荷電流(ピークAC/DC) Io 1500 1000 650 mA
オン電流低減率 ⊿Io/℃ -15 -10 -6.5 mA/℃ Ta≧25℃
パルスオン電流 IOP 4.5 3 2 A t=100ms, Duty=1/10
接合部温度 TJ 125 ℃
入出力間耐電圧 ＊ VI-O 500 Vrms AC1分間
使用周囲温度 Ta -40～+110 ℃ 氷結・結露のないこと
保管温度 Tstg -40～+125 ℃
はんだ付け温度条件 ― 260 ℃ 10s

＊入出力間耐電圧の測定は、LEDピン、受光側ピンをそれぞれ一括し、電圧を印加する。

電気的性能（Ta＝25℃）

項目 記号 形G3VM-31QR 形G3VM-61QR2 形G3VM-101QR1 単位 単位
入
力
側		 LED順電圧 VF 最小 1.1 V IF=10mA
標準 1.21
最大 1.4
逆電流 IR 最大 10 μA VR=5V
端子間容量 CT 標準 30 pF V=0、f=1MHz
トリガLED順電流 IFT 標準 0.6 0.7 mA Io=100mA
最大 3
復帰LED順電流 IFC 最小 0.1 mA IOFF=10μA
出
力
側		 最大出力オン抵抗 RON 標準 0.1 0.2 0.4 Ω G3VM-31QR/61QR2,
IO=1000mA, IF=5mA, t<1s
G3VM-101QR1,
IO=650mA, IF=5mA, t<1s
最大 0.2 0.3 0.6
開路時漏れ電流 ILEAK 最大 1 1000
(1)		 nA G3VM-31QR ：VOFF=20V
G3VM-61QR2 ：VOFF=60V
　　　（ ）内はVOFF=50V
G3VM-101QR1：VOFF=100V
　　　（ ）内はVOFF=80V
端子間容量 Coff 標準 120 80 50 pF V＝0、f＝100MHz、t<1s
最大 - 150 -
入出力間容量 CI-O 標準 1 0.9 pF f=1MHz、VS=0V
入出力間容量絶縁抵抗 RI-O 標準 108 MΩ VI-O=500VDC、RoH≦60%
動作時間 tON 標準 0.8 0.75 0.6 ms IF=5mA、RL＝200Ω、VDD＝20V ＊
最大 2
復帰時間 tOFF 標準 0.05 0.04 ms
最大 1 0.3

＊ 動作・復帰時間

G3VM-31QR / 61QR2 / 101QR1 定格/性能 4

推奨動作条件

推奨動作条件は、高い信頼度でご使用いただくため、最大定格・電気的性能に対してディレーティングを考慮した指標です。
各項目は独立した条件であり、複合条件を同時に満たすものではありません。

項目 記号 形G3VM-31QR 形G3VM-61QR2 形G3VM-101QR1 単位
負荷電圧（ピークAC/DC） VDD 最大 24 48 80 V
動作LED順電流 IF 最小 5 mA
標準 7.5
最大 20
連続負荷電流（ピークAC/DC） Io 最大 1300 1000 650
動作温度 Ta 最小 -20 ℃
最大 100

情報更新 : 2018/04/16

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