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2024/03 受注終了

EE-SY1200

フォト･マイクロセンサ（反射形）

EE-SY1200

超小型反射形・SMDタイプ（標準検出距離＝1mm～4mm）

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※ Web特別価格提供品

※ このページの記載内容は、生産終了以前の製品カタログに基づいて作成した参考情報であり、製品の特長 / 価格 / 対応規格 / オプション品などについて現状と異なる場合があります。ご使用に際してはシステム適合性や安全性をご確認ください。

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この商品について

関連情報

情報更新 : 2016/07/19

絶対最大定格（Ta＝25℃）

項目 記号 定格値 単位
発光側 順電流 IF 50 ＊1 mA
パルス順電流 IFP 500 ＊2 mA
逆電圧 VR 4 V
受光側 コレクタ･エミッタ間電圧 VCEO 30 V
エミッタ･コレクタ間電圧 VECO 5 V
コレクタ電流 IC 20 mA
コレクタ損失 PC 50 ＊1 mW
動作温度 Topr -25～+85 ℃
保存温度 Tstg -40～+100 ℃
はんだ付け温度 Tsol 240 ＊3 ℃

＊1. 周囲温度が25℃を越える場合は、温度定格図をご覧ください。
＊2. パルス幅≦10μs、繰返し100Hz
＊3. はんだ付け時間は10秒以内。

電気的および光学的特性（Ta＝25℃）

項目 記号 特性値 単位 条件
MIN. TYP. MAX.
発光側 順電圧 VF - 1.2 1.4 V IF＝20mA
逆電流 IR - - 10 μA VR＝4V
ピーク
発光波長		 λP - 940 - nm -
受光側 光電流1 IL1 200 - 1000 μA IF＝10mA，
VCE＝2V，
アルミ蒸着ガラス，
d＝4mm ＊1
光電流2 IL2 150 - - μA IF＝4mA，
VCE＝2V，
アルミ蒸着ガラス，
d＝1mm ＊1
暗電流 ID - 2 200 nA VCE＝10V，
0ℓx
漏れ電流1 ILEAK1 - - 500 nA IF＝10mA，
VCE＝2V
無反射状態 ＊2
漏れ電流2 ILEAK2 - - 200 nA IF＝4mA，
VCE＝2V
無反射状態 ＊2
コレクタ･
エミッタ間
飽和電圧		 VCE
（sat）		 - - - V -
ピーク分光
感度波長		 λP - 850 - nm -
上昇時間 tr - 30 - μs VCC＝2V，
RL＝1kΩ
IL＝100μA，
d＝1mm ＊1
下降時間 tf - 30 - μs VCC＝2V，
RL＝1kΩ
IL＝100μA，
d＝1mm ＊1

＊1. dはセンサ上面からの反射物までの距離。
＊2. センサの設置状態によっては、周囲の物体や検出物体の背景物体にて、センサの投光LEDの光や外乱光が反射して受光側に入光することがありますので、実際に使用されるアプリケーションで十分にご確認のうえ、ご使用ください。

外装仕様

接続方式 質量（g） 材質
ケース 封止樹脂
表面実装タイプ 0.02 LCP エポキシ樹脂

情報更新 : 2016/07/19

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