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EE-SJ3シリーズ

フォト･マイクロセンサ（透過形）

EE-SJ3シリーズ

溝型・端子タイプ（溝幅：3.4mm）

2026年03月受注終了予定

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この商品について

関連情報

情報更新 : 2016/07/19

絶対最大定格（Ta＝25℃）

項目 記号 定格値 単位
発光側 順電流 IF 50 ＊1 mA
パルス順電流 IFP 1 ＊2 A
逆電圧 VR 4 V
受光側 コレクタ･エミッタ間電圧 VCEO 30 V
エミッタ･コレクタ間電圧 VECO - V
コレクタ電流 IC 20 mA
コレクタ損失 PC 100 ＊1 mW
動作温度 Topr -25～+85 ℃
保存温度 Tstg -30～+100 ℃
はんだ付け温度 Tsol 260 ＊3 ℃

＊1. 周囲温度が25℃を越える場合は、温度定格図をご覧ください。
＊2. パルス幅≦10μs、繰返し100Hz
＊3. はんだ付け時間は10秒以内

電気的および光学的特性（Ta＝25℃）

項目 記号 特性値 単位 条件
EE-SJ3-C EE-SJ3-D EE-SJ3-G
発光側 順電圧 VF 1.2（TYP.）
1.5（MAX.）		 V IF＝30mA
逆電流 IR 0.01（TYP.）
10（MAX.）		 μA VR＝4V
ピーク発光波長 λP 940（TYP.） nm IF＝20mA
受光側 光電流 IL 1～28 0.1（MIN.） 0.5～14 mA IF＝20mA、VCE＝10V
暗電流 ID 2（TYP.）
200（MAX.）		 nA VCE＝10V、0ℓx
漏れ電流 ILEAK - μA -
コレクタ･
エミッタ間飽和電圧		 VCE
（sat）		 0.1（TYP.）
0.4（MAX.）		 - 0.1（TYP.）
0.4（MAX.）		 V IF＝20mA、IL＝0.1mA
ピーク分光感度波長 λP 850（TYP.） nm VCE＝10V
上昇時間 tr 4（TYP.） μs VCC＝5V、RL＝100Ω
IL＝5mA
下降時間 tf 4（TYP.） μs

外装仕様

接続方式 質量（g） 材質
ケース ソコイタ
プリント基板用端子 0.7 ポリカーボネート ポリカーボネート

情報更新 : 2016/07/19

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