制御機器

G3VM-□CR□ / □FR□

MOS FETリレー　DIP8ピン高容量＆低オン抵抗タイプ

G3VM-□CR□ / □FR□

DIP8ピンパッケージで最高クラスの高容量化を実現したMOS FETリレー

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情報更新 : 2021/04/12

絶対最大定格（Ta＝25℃）

項目			記号	形G3VM-61CR1 形G3VM-61FR1	形G3VM-101CR 形G3VM-101FR	形G3VM-201CR 形G3VM-201FR	形G3VM-401CR 形G3VM-401FR	形G3VM-601CR 形G3VM-601FR	単位	条件
入力側	LED順電流		I_F	30					mA
	繰り返しピーク LED順電流		I_FP	1					A	100μsパルス、100pps
	直流順電流低減率		ΔI_F/℃	-0.3					mA/℃	Ta≧25℃
	LED逆電圧		V_R	5					V
	接合部温度		T_J	125					℃
出力側	負荷電圧（ピークAC/DC）		V_OFF	60	100	200	400	600	V
	連続負荷電流	A接続	I_O	5	3	1.5	0.4	0.6	A	A接続 : ピークAC/DC B,C接続 : DC
		B接続		5	3	1.5	0.4	0.6
		C接続		10	6	3	0.8	1.2
	オン電流低減率	A接続	ΔI_O/℃	-50	-30	-15	-4	-6	mA/℃	Ta≧25℃
		B接続		-50	-30	-15	-4	-6
		C接続		-100	-60	-30	-8	-12
	パルスオン電流		I_OP	15	9	4.5	1.2	1.8	A	t=100ms、Duty=1/10
	接合部温度		T_J	125					℃
入出力間耐電圧＊			V_I-O	2,500					Vrms	AC1分間
使用周囲温度			Ta	-40 ～ +85	-40 ～ +110		-40 ～ +85		℃	氷結・結露のないこと
保管温度			Tstg	-55 ～ +125					℃	氷結・結露のないこと
はんだ付け温度条件			―	260					℃	10s

＊入出力間耐電圧の測定は、LEDピン、受光側ピンをそれぞれ一括し、電圧を印加する。

接続例

電気的性能（Ta＝25℃）

項目			記号		形G3VM-61CR1 形G3VM-61FR1	形G3VM-101CR 形G3VM-101FR	形G3VM-201CR 形G3VM-201FR	形G3VM-401CR 形G3VM-401FR	形G3VM-601CR 形G3VM-601FR	単位	条件
入力側	LED順電圧		V_F	最小	1.5					V	I_F=10mA
				標準	1.64
				最大	1.8
	逆電流		I_R	最大	10					μA	V_R=5V
	端子間容量		C_T	標準	70					pF	V=0、f=1MHz
	トリガLED順電流		I_FT	標準	0.28	0.3	0.3	0.2	0.23	mA	形G3VM-61CR1/FR1: I_O=1A 形G3VM-101CR/FR: I_O=1A 形G3VM-201CR/FR: I_O=1A 形G3VM-401CR/FR: I_O=0.4A 形G3VM-601CR/FR: I_O=0.6A
	トリガLED順電流		I_FT	最大	5	5	5	1	5	mA
	復帰LED順電流		I_FC	最小	0.01					mA	形G3VM-61CR1/FR1: I_OFF=1μA 形G3VM-101CR/FR: I_OFF=1μA 形G3VM-201CR/FR: I_OFF=1μA 形G3VM-401CR/FR: I_OFF=10μA 形G3VM-601CR/FR: I_OFF=1μA
	復帰LED順電流		I_FC	標準	0.19	-		0.19	0.17	mA
出力側	最大出力オン抵抗	A接続	R_ON	標準	0.022	0.06	0.25	3	1.3	Ω	形G3VM-61CR1/FR1: I_O=1A、I_F=5mA、t<1s 形G3VM-101CR/FR: I_O=1A、I_F=5mA、t<1s 形G3VM-201CR/FR: I_O=1A、I_F=5mA、t<1s 形G3VM-401CR/FR: I_O=0.4A、I_F=2mA、t<1s 形G3VM-601CR/FR: I_O=0.6A、I_F=5mA、t<1s
		A接続		最大	0.05	0.15	0.5	5	2
		B接続		最大	0.025	0.075	0.25	2.5	1		形G3VM-61CR1/FR1: I_O=1A、I_F=2mA、t<1s 形G3VM-101CR/FR: I_O=1A、I_F=5mA、t<1s 形G3VM-201CR/FR: I_O=1A、I_F=5mA、t<1s 形G3VM-401CR/FR: I_O=0.4A、I_F=2mA、t<1s 形G3VM-601CR/FR: I_O=0.6A、I_F=2mA、t<1s
		C接続		最大	0.013	0.038	0.125	1.3	0.5		形G3VM-61CR1/FR1: I_O=1A、I_F=2mA、t<1s 形G3VM-101CR/FR: I_O=1A、I_F=5mA、t<1s 形G3VM-201CR/FR: I_O=1A、I_F=5mA、t<1s 形G3VM-401CR/FR: I_O=0.8A、I_F=2mA、t<1s 形G3VM-601CR/FR: I_O=1.2A、I_F=2mA、t<1s
	開路時漏れ電流		I_LEAK	標準	0.01	0.02	0.1	0.001	0.05	μA	V_OFF=負荷電圧定格値
	開路時漏れ電流		I_LEAK	最大	10	1	1	1	10	μA	V_OFF=負荷電圧定格値
	端子間容量		C_OFF	標準	850	720	400	410	4,300	pF	V＝0、f＝1MHz
入出力間容量			C_I-O	標準	0.8					pF	f=1MHz、Vs=0V
入出力間容量絶縁抵抗			R_I-O	最小	1,000					MΩ	V_I-O=500VDC、R_OH≦60%
入出力間容量絶縁抵抗			R_I-O	標準	10⁸					MΩ	V_I-O=500VDC、R_OH≦60%
動作時間			t_ON	標準	2.5	1.5	0.25	0.22	0.8	ms	I_F＝5mA、R_L＝200Ω、V_DD＝20V ＊
動作時間			t_ON	最大	5			1	3
復帰時間			t_OFF	標準	0.1			0.08	0.07
復帰時間			t_OFF	最大	1

＊動作・復帰時間

推奨動作条件

推奨動作条件は、高い信頼度でご使用いただくため、最大定格・電気的性能に対してディレーティングを考慮した指標です。
各項目は独立した条件であり、複合条件を同時に満たすものではありません。

項目	記号		形G3VM-61CR1 形G3VM-61FR1	形G3VM-101CR 形G3VM-101FR	形G3VM-201CR 形G3VM-201FR	形G3VM-401CR 形G3VM-401FR	形G3VM-601CR 形G3VM-601FR	単位
負荷電圧（ピークAC/DC）	V_DD	最大	48	80	160	320	480	V
動作LED順電流	I_F	標準	5	5	5	2	5	mA
動作LED順電流	I_F	最大	25					mA
連続負荷電流（ピークAC/DC）	I_O	最大	5	3	1.5	0.4	0.6	A
動作温度	Ta	最小	-40					℃
動作温度	Ta	最大	85					℃

絶縁構造寸法

項目	最小	単位
沿面距離	7.0	mm
空間距離	7.0
絶縁物厚	0.4

情報更新 : 2021/04/12

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G3VM-□CR□ / □FR□

DIP8ピンパッケージで最高クラスの高容量化を実現したMOS FETリレー

絶対最大定格（Ta＝25℃）

電気的性能（Ta＝25℃）

推奨動作条件

絶縁構造寸法

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