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G3VM-□AR□ / □DR□

MOS FETリレー　DIP4ピン 高容量&低オン抵抗タイプ

G3VM-□AR□ / □DR□

小型DIP4ピンパッケージでメカニカルリレー並みの低オン抵抗、高容量開閉を実現したMOS FETリレー

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この商品について

関連情報

情報更新 : 2019/11/01

絶対最大定格（Ta＝25℃）

項目 記号 形G3VM-21AR
形G3VM-21DR		 形G3VM-31AR
形G3VM-31DR		 形G3VM-41AR
形G3VM-41DR		 形G3VM-61AR
形G3VM-61DR		 形G3VM-61AR1
形G3VM-61DR1		 形G3VM-101AR
形G3VM-101DR		 形G3VM-101AR1
形G3VM-101DR1		 形G3VM-201AR
形G3VM-201DR		 単位 条件
入
力
側		 LED順電流 IF 30 mA
繰り返しピーク
LED順電流		 IFP 1 A 100μsパルス、100pps
直流順電流
低減率		 ΔIF/℃ -0.3 mA/℃ Ta≧25℃
LED逆電圧 VR 5 6 5 6 5 6 V
接合部温度 TJ 125 ℃
出
力
側		 負荷電圧
（ピークAC/DC）		 VOFF 20 30 40 60 100 200 V
連続負荷電流
（ピークAC/DC）		 IO 3 4 2.5 2 3 1 2 0.7 A
オン電流低減率 ΔIO/℃ -30 -40 -25 -20 -30 -10 -20 -7 mA/℃ Ta≧25℃
パルスオン電流 Iop 9 7.5 6 9 3 6 2.1 A t=100ms、Duty=1/10
接合部温度 TJ 125 ℃
入出力間耐電圧 ＊ VI-O 2,500 Vrms AC1分間
使用周囲温度 Ta -40～+85 -40～
+110		 -40～+85 -40～+110 -40～+85 -40～+110 ℃ 氷結・結露のないこと
保管温度 Tstg 55～+125 ℃
はんだ付け温度条件 ― 260 ℃ 10s

＊入出力間耐電圧の測定は、LEDピン、受光側ピンをそれぞれ一括し、電圧を印加する。

電気的性能（Ta＝25℃）

項目 記号 形G3VM-21AR
形G3VM-21DR		 形G3VM-31AR
形G3VM-31DR		 形G3VM-41AR
形G3VM-41DR		 形G3VM-61AR
形G3VM-61DR		 形G3VM-61AR1
形G3VM-61DR1		 形G3VM-101AR
形G3VM-101DR		 形G3VM-101AR1
形G3VM-101DR1		 形G3VM-201AR
形G3VM-201DR		 単位 条件
入
力
側		 LED順電圧 VF 最小 1.18 1.5 1.18 1.5 1.18 1.5 V IF=10mA
標準 1.33 1.64 1.33 1.64 1.33 1.64
最大 1.48 1.8 1.48 1.8 1.48 1.8
逆電流 IR 最大 10 μA VR=5V
端子間容量 CT 標準 70 pF V=0、f=1MHz
トリガLED
順電流		 IFT 標準 0.7 0.3 0.5 0.3 0.5 0.4 0.3 mA 形G3VM-201AR/201DR
：IO=0.7A
その他：IO=1A
最大 3
復帰LED
順電流		 IFC 最小 0.1 mA IOFF=10μA
標準 0.1 0.2 0.1 0.2 0.1 0.2
出
力
側		 最大出力
オン抵抗		 RON 標準 40 25 50 80 45 250 110 900 mΩ 形G3VM-31AR/31DR
IF=5mA, t<1s, Io=4A
形G3VM-61AR1/61DR1
IF=5mA, t<1s, Io=3A
形G3VM-21AR/21DR/41AR/41DR/61AR/
61DR/101AR1/101DR1 :
IF=5mA, t<1s, Io=2A
形G3VM-101AR/101DR :
IF=5mA, t<1s, Io=1A
形G3VM-201AR/201DR :
IF=5mA, t<1s, Io=0.7A
最大 80 50 150 200 100 700 200 2000
開路時
漏れ電流		 ILEAK 標準 - 0.01 - 0.005 - 0.01 0.04 μA VOFF=負荷電圧定格値
最大 1
端子間容量 COFF 標準 300 450 300 250 200 110 pF V=0、f=1MHz
入出力間容量 CI-O 標準 0.8 pF f=1MHz、VS=0V
入出力間容量
絶縁抵抗		 RI-O 最小 1000 MΩ VI-O=500VDC、
ROH≦60%
標準 108
動作時間 tON 標準 1 0.6 0.8 0.45 0.8 0.4 0.13 ms IF＝5mA、RL＝200Ω、
VDD＝20V＊
最大 5 3 5 2 5 2 1
復帰時間 tOFF 標準 0.3 0.2 0.3 0.2 0.14
最大 1 0.5

＊ 動作・復帰時間

G3VM-□AR□ / □DR□ 定格/性能 4

推奨動作条件

推奨動作条件は、高い信頼度でご使用いただくため、最大定格・電気的性能に対してディレーティングを考慮した指標です。
各項目は独立した条件であり、複合条件を同時に満たすものではありません。

項目 記号 形G3VM-21AR
形G3VM-21DR		 形G3VM-31AR
形G3VM-31DR		 形G3VM-41AR
形G3VM-41DR		 形G3VM-61AR
形G3VM-61DR		 形G3VM-61AR1
形G3VM-61DR1		 形G3VM-101AR
形G3VM-101DR		 形G3VM-101AR1
形G3VM-101DR1		 形G3VM-201AR
形G3VM-201DR		 単位
負荷電圧
（ピークAC/DC)		 VDD 最大 16 24 32 48 80 160 V
動作LED順電流 IF 最小 5 mA
標準 10
最大 25
連続負荷電流
（ピークAC/DC)		 IO 最大 3 4 2.5 2 3 1 2 0.7 A
動作温度 Ta 最小 -20 ℃
最大 65 85 65 85 65 85

絶縁構造寸法

項目 最小 単位
沿面距離 7.0 mm
空間距離 7.0
絶縁物厚 0.4

情報更新 : 2019/11/01

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