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G3VM-□AR□ / □DR□

MOS FETリレー　DIP4ピン 高容量&低オン抵抗タイプ

G3VM-□AR□ / □DR□

小型DIP4ピンパッケージでメカニカルリレー並みの低オン抵抗、高容量開閉を実現したMOS FETリレー

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この商品について

関連情報

情報更新 : 2016/02/01

（単位：mm）

プリント基板用端子

質量：0.25g

G3VM-□AR□ / □DR□ 外形寸法 1

サーフェス・マウント端子

質量：0.25g

G3VM-□AR□ / □DR□ 外形寸法 2
G3VM-□AR□ / □DR□ 外形寸法 3

※マーキング内容は実際の製品と異なります。

情報更新 : 2016/02/01

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