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G3VM-□BR□ / □ER□

MOS FETリレー DIP6ピン 高容量&低オン抵抗タイプ

G3VM-□BR□ / □ER□

DIP6ピンパッケージでメカニカルリレー並みの低オン抵抗、高容量開閉を実現したMOS FETリレー

※ Web特別価格提供品

絶対最大定格(Ta=25℃)

項目 記号 形G3VM-21BR
形G3VM-21ER
形G3VM-31BR
形G3VM-31ER
形G3VM-41BR
形G3VM-41ER
形G3VM-61BR
形G3VM-61ER
形G3VM-61BR1
形G3VM-61ER1
形G3VM-61BR2
形G3VM-61ER2
形G3VM-101BR
形G3VM-101ER
形G3VM-101BR1
形G3VM-101ER1
単位 条件


LED順電流 IF 30 mA
繰り返しピーク
LED順電流
IFP 1 A 100μsパルス、100pps
直流順電流低減率 △IF/℃ -0.3 mA/℃ Ta≧25℃
LED逆電圧 VR 5 6 5 5 6 5 6 V
接合部温度 TJ 125


負荷電圧
(ピークAC/DC)
VOFF 20 30 40 60 100 V
連続負荷
電流
A接続 Io 4 5 3.5 2.5 3 4 2 3.5 A A接続:ピークAC/DC
B、C接続:DC
B接続
C接続 8 10 7 6 8 4 7
オン電流
低減率
A接続 △Io/℃ -40 -50 -35 -22 -30 -40 -20 -35 mA/℃ Ta≧25℃
B接続
C接続 -80 -100 -70 -60 -80 -40 -70
パルスオン電流 Iop 12 15 10.5 7.5 9 12 6 10.5 A t=100ms、Duty=1/10
接合部温度 TJ 125
入出力間耐電圧 * VI-O 2,500 Vrms AC1分間
使用周囲温度 Ta -40~+85 -40~+110 -40~+85 -20~+85 -40~+85 -40~+110 -40~+85 -40~+110 氷結・結露のないこと
保管温度 Tstg -55~+125 -40~+125 -55~+125
はんだ付け温度条件 260 10s

* 入出力間耐電圧の測定は、LEDピン、受光側ピンをそれぞれ一括し、電圧を印加する。

G3VM-□BR□ / □ER□ 定格/性能 2

電気的性能(Ta=25℃)

項目 記号 形G3VM-21BR
形G3VM-21ER
形G3VM-31BR
形G3VM-31ER
形G3VM-41BR
形G3VM-41ER
形G3VM-61BR
形G3VM-61ER
形G3VM-61BR1
形G3VM-61ER1
形G3VM-61BR2
形G3VM-61ER2
形G3VM-101BR
形G3VM-101ER
形G3VM-101BR1
形G3VM-101ER1
単位 条件


LED順電圧 VF 最小 1.18 1.5 1.18 1.5 1.18 1.5 V I F=10mA
標準 1.33 1.64 1.33 1.64 1.33 1.64
最大 1.48 1.8 1.48 1.8 1.48 1.8
逆電流 IR 最大 10 μA VR=5V
端子間容量 CT 標準 70 pF V=0、f=1MHz
トリガLED順電流 IFT 標準 0.5 0.2 0.5 1 0.5 0.3 0.5 0.2 mA Io=1A
最大 3
復帰LED順電流 IFC 最小 0.1 0.01 0.1 0.01 0.1 0.01 mA IOFF=10μA


最大出力
オン抵抗
A接続 RON 標準 20 30 65 40 35 100 50 形G3VM-21BR/21ER/41BR/41ER/61BR1/61ER1/101BR/101ER:
IF=5mA、Io=2A
形G3VM-61BR/61ER:IF=10mA, t=10ms, Io=2A
形G3VM-31BR/31ER/61BR2/61ER2/101BR1/101ER1:
IF=5mA、Io=3A、t<1s
最大 50 40 60 100 70 60 200 80
B接続 標準 10 15 20 18 50 24 形G3VM-21BR/21ER/41BR/41ER/61BR1/61ER1/101BR/101ER:
IF=5mA、Io=2A
形G3VM-31BR/31ER:IF=5mA、Io=5A、t<1s
形G3VM-61BR2/61ER2:IF=5mA、Io=4A、t<1s
形G3VM-101BR1/101ER1:IF=5mA、Io=3.5A、t<1s
C接続 標準 5 8 10 9 25 12 形G3VM-21BR/21ER/41BR/41ER/61BR1/61ER1/101BR/101ER:
IF=5mA、Io=4A、t<1s
形G3VM-31BR/31ER:IF=5mA、Io=10A、t<1s
形G3VM-61BR2/61ER2:IF=5mA、Io=8A、t<1s
形G3VM-101BR1/101ER1:IF=5mA、Io=7A、t<1s
開路時漏れ電流 ILEAK 標準 0.01 0.001 0.01 0.01 nA VOFF=負荷電圧定格値
最大 1 0.01 1 1 1 1
端子間容量 COFF 標準 1000 1100 1000 400 1000 640 1000 450 pF V=0、f=1MHz
入出力間容量 CI-O 標準 0.8 pF f=1MHz、Vs=0V
入出力間容量絶縁抵抗 RI-O 最小 1000 VI-O=500VDC、RoH≦60%
標準 108
動作時間 tON 標準 2.5 0.8 2 1.5 2 1.2 2 0.8 ms IF=5mA、
RL=200Ω、
VDD=20V *
最大 5 3 5
復帰時間 tOFF 標準 0.1 0.2 0.1
最大 1 0.5 1 0.6 1 0.5 1 0.5

* 動作・復帰時間

G3VM-□BR□ / □ER□ 定格/性能 4

推奨動作条件

推奨動作条件は、高い信頼度でご使用いただくため、最大定格・電気的性能に対してディレーティングを考慮した指標です。
各項目は独立した条件であり、複合条件を同時に満たすものではありません。

項目 記号 形G3VM-21BR
形G3VM-21ER
形G3VM-31BR
形G3VM-31ER
形G3VM-41BR
形G3VM-41ER
形G3VM-61BR
形G3VM-61ER
形G3VM-61BR1
形G3VM-61ER1
形G3VM-61BR2
形G3VM-61ER2
形G3VM-101BR
形G3VM-101ER
形G3VM-101BR1
形G3VM-101ER1
単位
負荷電圧
(ピークAC/DC)
VDD 最大 16 24 32 48 80 V
動作LED順電流 IF 最小 5 10 5 mA
標準 10 10
最大 25 20 25
連続負荷電流
(ピークAC/DC)
Io 最大 4 5 3.5 2.5 3 4 2 3.5 A
動作温度 Ta 最小 -20 -40 -20 -40 -20 -40
最大 65 85 65 60 65 85 65 85

絶縁構造寸法

項目 最小 単位
沿面距離 7.0 mm
空間距離 7.0
絶縁物厚 0.4