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G3VM-61UR□ / 81UR□ / 101UR

MOS FETリレー VSON 小型&高電圧タイプ

G3VM-61UR□ / 81UR□ / 101UR

世界最小クラス*のパッケージVSON新登場。高負荷電圧を実現したMOS FETリレー *2016年11月 当社調べ

※ Web特別価格提供品

絶対最大定格(Ta=25℃)

項目 記号 形G3VM-61UR1 形G3VM-61UR 形G3VM-81UR 形G3VM-81UR1 形G3VM-101UR 単位 条件


LED順電流 IF 30 mA
直流順電流低減率 △IF/℃ -0.3 mA/℃ Ta≧25℃
LED逆電圧 VR 5 V
接合部温度 TJ 125


負荷電圧(ピークAC/DC) VOFF 60 80 100 V
連続負荷電流(ピークAC/DC) Io 120 400 120 200 100 mA
オン電流低減率 △Io/℃ -1.2 -4.0 -1.2 -2 -1 mA/℃ Ta≧25℃
パルスオン電流 Iop 360 1200 360 600 300 mA t=100ms、Duty=1/10
接合部温度 TJ 125
入出力間耐電圧 *1 *2 VI-O 500 Vrms AC1分間
使用周囲温度 Ta -40~+110 氷結・結露のないこと
保管温度 Tstg -40~+125
はんだ付け温度条件 260 10s

*1. 入出力間耐電圧の測定は、LEDピン、受光側ピンをそれぞれ一括し、電圧を印加する。
*2. 入出力間耐電圧500Vrmsは2016年12月の生産分より適用する。2016年11月までの生産分は300Vrmsとする。

電気的性能(Ta=25℃)

項目 記号 形G3VM-61UR1 形G3VM-61UR 形G3VM-81UR 形G3VM-81UR1 形G3VM-101UR 単位 条件


LED順電圧 VF 最小 1.1 V IF=10mA
標準 1.22
最大 1.4
逆電流 IR 最大 10 μA VR=5V
端子間容量 CT 標準 30 pF V=0、f=1MHz
トリガLED順電流 IFT 標準 0.9 1.1 mA Io=100mA
最大 3
復帰LED順電流 IFC 最小 0.1 mA IOFF=10μA


最大出力オン抵抗 RON 標準 10 1.0 7 6 8 Ω IF=5mA、t<1s、
Io=連続負荷電流定格値
最大 15 1.5 12 8 14
開路時漏れ電流 ILEAK 最大 1 0.02 1 0.2 nA VOFF=負荷電圧定格値
端子間容量 COFF 標準 0.7 20 5 6.5 6 pF V=0、f=100MHz、t<1s
最大 1.3 7 11 8
入出力間容量 CI-O 標準 1 pF f=1MHz、Vs=0V
入出力間容量絶縁抵抗 RI-O 標準 108 VI-O=500VDC、RoH≦60%
動作時間 tON 標準 0.05 0.13 ms IF=5mA、RL=200Ω、
VDD=20V *
最大 0.2 0.5 0.4 0.3
復帰時間 tOFF 標準 0.015 0.02
最大 0.2 0.5 0.2 0.4 0.3

* 動作・復帰時間

G3VM-61UR□ / 81UR□ / 101UR 定格/性能 4

推奨動作条件

推奨動作条件は、高い信頼度でご使用いただくため、最大定格・電気的性能に対してディレーティングを考慮した指標です。
各項目は独立した条件であり、複合条件を同時に満たすものではありません。

項目 記号 形G3VM-61UR1 形G3VM-61UR 形G3VM-81UR 形G3VM-81UR1 形G3VM-101UR 単位
負荷電圧(ピークAC/DC) VDD 最大 48 64 80 V
動作LED順電流 IF 最小 5 mA
標準 7.5
最大 20
連続負荷電流(ピークAC/DC) Io 最大 120 400 120 200 100
動作温度 Ta 最小 -20
最大 85