| 形式 |
形4S2VR-V600- D53BT1NT |
形4S2VR-V600- D54BT1NT |
形4S2VR-V600- D55BT1NT |
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|---|---|---|---|---|
| メモリ容量 | 254バイト | |||
| メモリ種類 | EEP-ROM | |||
| データ保持期間(データ書き込み後) | 10年間(周囲温度 −40~+85℃時) | 10年間(周囲温度 −40~+110℃時) 1年間(周囲温度 −40~+120℃時) |
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書き換え 回数 (各アドレ ス毎) |
書き込み時温度−20~0℃ | 800,000回 | ||
| 書き込み時温度0~25℃ | 400,000回 | |||
| 書き込み時温度25~60℃ | 300,000回 | |||
| 書き込み時温度 60~85℃ | 100,000回 | |||
| 空間伝送のエラー検知 | 16ビットCRCを双方向に付加(CRC:Cyclic Redundancy Check) | |||
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使用周囲 温度 |
データ保存時 | −40~+85℃ | −40~+120℃ | |
| 読み書き時 | −20~+85℃ | −20~+85℃ | ||
| 保存周囲温度 | −40~+85℃ | −40~+120℃ | ||
| 使用・保存周囲湿度 | 35~95% | |||
| 保護構造 | IEC 60529 : IP67 | IEC 60529 : IP68 | ||
| 耐振動性 | 10~2,000Hz、複振幅1.5mm、加速度150m/s2 | 10~2,000Hz、複振幅1.5mm、 加速度150m/s2で10掃引、 X、Y、Z各方向 |
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| 耐衝撃性 | 加速度1,000m/s2、3回、X、Y、Z各方向(合計18回) | 加速度500m/s2、3回、X、Y、Z 各方向(合計18回) |
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| 材質 | ボルト:SUS 304(ステンレス) データキャリア部:ケース ABS、 充填部 エポキシ樹脂 |
ボルト:SUS 304(ステンレス) データキャリア部:ケース PPS、 充填部 エポキシ樹脂 |
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| ボルトネジ部寸法 | M10×12、ピッチ1.5(mm) | |||
