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EE-SY199

フォト・マイクロセンサ(反射形)

EE-SY199

超小型反射形・SMDタイプ(標準検出距離=1mm)

※ Web特別価格提供品

この商品について

絶対最大定格(Ta=25℃)

項目 記号 定格値 単位
発光側
順電流 IF 50*1 mA
逆電圧 VR 6 V
受光側
コレクタ・エミッタ間電圧 VCEO 35 V
エミッタ・コレクタ間電圧 VECO 6 V
コレクタ電流 IC 20 mA
コレクタ損失 PC 75*1 mW
全許容損失 Ptot 100*1 mW
動作温度 Topr -25~85
保存温度 Tstg -40~100
リフローはんだ付け温度 Tsol 260*2

*1. 周囲温度が25℃を越える場合は、データシートの「特性データ(参考値)」の「温度定格図」をご覧ください。
*2. はんだ付け時間は5秒以内。
   リフローはんだ付けは実装上の注意に記載の条件にてはんだ付けを行ってください。

電気的および光学的特性(Ta=25℃)

項目 記号 特性値 単位 条件
MIN. TYP. MAX.
発光側
順電圧 VF ̶ 1.2 1.4 V IF=20mA
逆電流 IR ̶ ̶ 10 μA VR=6V
ピーク発光波長 λP ̶ 950 ̶ nm ̶
受光側
光電流 形EE-SY199 IL 40 85 130 μA IF=4mA、VCE=2V、
アルミ蒸着ガラス、d=1mm*
形EE-SY199-RANKB 65 ̶
暗電流 ID ̶ 1 100 nA VCE=20V、0ℓx
漏れ電流 ILEAK ̶ ̶ 500 nA IF=4mA、VCE=2V、
無反射状態
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE
(sat)
̶ ̶ ̶ V ̶
ピーク分光感度波長 λP ̶ 930 ̶ nm ̶
上昇時間 tr ̶ 20 100 μs VCC= 2V、RL=1kΩ、
IL=100μA、d=1mm*
下降時間 tf ̶ 20 100 μs VCC= 2V、RL=1kΩ、
IL=100μA、d=1mm*

*詳細はデータシートの「特性データ(参考値)」の「図12.光電流側配置図」をご覧ください。

外装仕様

接続方式 質量(g) 材質
ケース
表面実装タイプ 0.008 ポリフェレンサルファイド(PPS)