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半導体ひずみゲージ

読み方

ハンドウタイヒズミゲージ

解説

該当する商品カテゴリ
次の原理によるひずみ計。ひずみによる半導体の結晶構造の変形によって電子の運動ポテンシャルが変化する。その結果、半導体中のキャリヤの移動度が変化し、電気抵抗が変化することを利用したもの。圧力センサで使用する場合、外部からの圧力によるダイヤフラムの変形に応じて、ゲージ抵抗部にひずみが発生することを利用し、圧力に比例した電圧出力を得る。

FA用語辞典